[發(fā)明專利]一種具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的封裝芯片以及加工工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710179727.4
• 申請(qǐng)日: 2017-03-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106960826B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳子明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳光韻達(dá)激光應(yīng)用技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/78;H01L21/67
• 代理公司: 廣東廣和律師事務(wù)所44298
• 代理人: 王少?gòu)?qiáng)

[技術(shù)領(lǐng)域]

本發(fā)明涉及封裝芯片加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種加工精確度高，有利于節(jié)省成本，且整個(gè)加工過(guò)程實(shí)現(xiàn)無(wú)水處理的具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的封裝芯片以及加工工藝。

[背景技術(shù)]

近些年，智能產(chǎn)品市場(chǎng)的發(fā)展異常火熱，給人們的生活帶來(lái)了很大的便捷，也大幅度提高了人們的生活水平，然而，由于智能手機(jī)與平板電腦等電子空間越來(lái)越緊湊，其機(jī)體內(nèi)部的器件也需要不斷的往超薄，超小的方向去發(fā)展，并實(shí)現(xiàn)局部的減薄與中間鏤空等成型要求，甚至有2D平面的加工往3D多維的方向去發(fā)展，這樣的情況就對(duì)實(shí)際的產(chǎn)品零部件布局設(shè)置，具體加工工藝帶來(lái)了很大的挑戰(zhàn)，目前此方面的技術(shù)還不夠成熟，有的加工精確度不夠高，無(wú)法適應(yīng)較小空間的加工，有的加工過(guò)程需要水洗或降溫，間接的提高了加工難度。

基于上述問(wèn)題，怎么才能有效的提高產(chǎn)品加工的精確的和生產(chǎn)效率，滿足實(shí)際需求，本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)行了大量的研發(fā)和實(shí)驗(yàn)，并取得了較好的成績(jī)。

[發(fā)明內(nèi)容]

為克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種加工精確度高，有利于節(jié)省成本，且整個(gè)加工過(guò)程實(shí)現(xiàn)無(wú)水處理的具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的封裝芯片以及加工工藝。

本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題的方案是提供一種具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的封裝芯片以及加工工藝，包括環(huán)氧樹(shù)脂基層以及形成于該環(huán)氧樹(shù)脂基層上的絕緣油墨層；在所述環(huán)氧樹(shù)脂基層內(nèi)部設(shè)置有芯片晶圓，且在絕緣油墨層中形成有絕緣玻璃纖維層以及電路銅箔層；所述絕緣玻璃纖維層設(shè)置于電路銅箔層的中間部位，電路銅箔層與芯片晶圓通過(guò)金線連接；所述絕緣油墨層以及絕緣玻璃纖維層的兩端分別與環(huán)氧樹(shù)脂基層表面形成兩臺(tái)階面。

優(yōu)選地，所述絕緣油墨層表面與環(huán)氧樹(shù)脂基層表面的高度差范圍為0.15-0.3mm。

優(yōu)選地，所述環(huán)氧樹(shù)脂基層上側(cè)靠近芯片晶圓部位向上延伸出一延伸部，該延伸部穿過(guò)絕緣油墨層后與電路銅箔層接觸，連接電路銅箔層與芯片晶圓的金線經(jīng)過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂基層上側(cè)的延伸部與電路銅箔層接觸。

優(yōu)選地，所述電路銅箔層分為上電路銅箔層以及下電路銅箔層，絕緣玻璃纖維層形成于該上電路銅箔層與下電路銅箔層之間；所述絕緣油墨層分為上絕緣油墨層以及下絕緣油墨層，且絕緣玻璃纖維層和電路銅箔層形成于該上絕緣油墨層和下絕緣油墨層之間。

一種具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)封裝芯片的加工工藝，包括以下步驟，

S1：預(yù)備帶有若干個(gè)并列設(shè)置的芯片單元的待加工PCB電路板，且在該P(yáng)CB電路板上手動(dòng)貼附保護(hù)膜；

S2：在PCB電路板上的各芯片單元周圍鐳射溝道，且控制溝道的寬度范圍在250-350微米之間；清除切割屑；

S3：清潔步驟S2溝道鐳射完成的PCB電路板，且沿著各芯片單元周圍的溝道銑出設(shè)定深度的臺(tái)階面；控制臺(tái)階面的寬度大于臺(tái)階深度0.15mm；

S4：清潔步驟S3加工完畢的PCB電路板，采用激光切割成型單個(gè)芯片單元；制備完成。

優(yōu)選地，所述步驟S1中保護(hù)膜的厚度范圍為195-205微米。

優(yōu)選地，所述步驟S2中，鐳射溝道深度的公差范圍為+/-0.02mm；且鐳射完成后的PCB電路板油墨面積尺寸的偏移度公差范圍為+/-0.03mm。

優(yōu)選地，所述步驟S4中，在利用激光切割成型單個(gè)芯片時(shí)，PCB電路板的尺寸中心度偏移度為+/-0.035mm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的封裝芯片以及加工工藝通過(guò)在絕緣油墨層以及絕緣玻璃纖維層的兩端形成與環(huán)氧樹(shù)脂基層表面相對(duì)應(yīng)的兩臺(tái)階面，實(shí)際生產(chǎn)加工過(guò)程中，采用具有較高精確度的CNC銑該臺(tái)階面，可以滿足較高的工藝要求，本設(shè)計(jì)實(shí)際可以達(dá)到的效果為實(shí)現(xiàn)無(wú)損及無(wú)水加工，保證整個(gè)加工過(guò)程的高強(qiáng)度和高精度，且達(dá)到較好的減少操作人員的目的，降低生產(chǎn)成本，隨著目前智能手機(jī)與平板電腦等電子空間越來(lái)越緊湊，大多數(shù)器件逐漸往超薄、超小的方向發(fā)展，尤其是在加工過(guò)程中陸續(xù)采用局部減薄或中間鏤空等成型方式，亦或者從2D平面的加工往3D多維的方向改變，本設(shè)計(jì)即可較好的迎合行業(yè)的發(fā)展要求，且最終獲得較好的加工和使用效果。

[附圖說(shuō)明]

圖1是傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)封裝芯片的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明一種具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的封裝芯片的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明一種具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的封裝芯片所對(duì)應(yīng)的載板立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明一種具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)封裝芯片的加工工藝流程圖。

[具體實(shí)施方式]