[發明專利]薄膜形成裝置

有效

• 申請號: 201710179143.7
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN107523803B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 郭東周;申東鎬
• 申請（專利權）人: HB技術有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/48
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 朱健

用于實現如上所述的目的的本發明提供一種薄膜形成裝置，向基板的表面上供給CVD(化學氣相沉積)原料氣體，向所供給的上述原料氣體照射激光，利用與上述激光發生反應的上述原料氣體，在上述基板形成薄膜，其特征在于，在上述基板的上部設置有腔室單元，上述腔室單元由供給原料氣體的原料供給機構、使向上述原料供給機構供給的原料氣體滯留的氣體滯留腔室、排出從上述氣體滯留腔室排出的原料氣體的第一排氣部和排出氣體及原料氣體的第二排氣部形成，上述薄膜形成裝置形成向上述氣體滯留腔室的前方向形成均勻的壓力的機構，以便在上述氣體滯留腔室的內部使上述化學氣相沉積原料氣體的流動(gas flow)變得均勻。

技術領域

本發明涉及薄膜形成裝置，更詳細地，涉及用于校正光掩模、液晶基板等具有平面圖案結構的基板的缺陷的薄膜形成裝置。

背景技術

圖1為以往的薄膜形成裝置的剖視圖，圖2為以往的薄膜形成裝置的俯視圖，參照圖1至圖2，在以往的薄膜形成裝置中，在基板1的上部設置有腔室單元20，上述腔室單元20包括：原料供給機構30，用于供給原料氣體；氣體滯留腔室40，用于使向上述原料供給機構30供給的原料氣體滯留；第一排氣部50，用于排出上述氣體滯留腔室40排出的原料氣體；第一氣體排出部60，用于阻隔外部空氣，以防止原料氣體與外部氣體相混淆；以及第二排氣部70，用于排出氣體及原料氣體。

在與向上述氣體滯留腔室40供給的原料氣體的供給方向相同的平行線2上，向上述原料氣體的供給方向的后方形成有上述第一排氣部50、第一氣體排出部60及第二排氣部70，從而在上述腔室單元20的3/4的等分面形成氣流(gas flow)，由于氣體滯留腔室40的壓力不均衡，因而向激光的位置流動的原料氣體的量少，導致反應性變低的問題。

現有技術文獻

專利文獻

(專利文獻1)韓國授權專利10-0381940號

(專利文獻2)韓國授權專利10-0547500號

發明內容

因此，本發明為了解決如上所述的現有技術的問題而提出，本發明的目的在于，提供如下的薄膜形成裝置，設計成向氣體滯留腔室的前方向形成均勻的壓力，從而使氣體滯留腔室內的化學氣相沉積(CVD)原料氣體的流動(gas flow)變得均勻，以提高原料氣體和激光的反應性。

但是，本發明的目的不局限于上述所提及的目的，未提及的其他目的可從以下的記載內容中由本發明所屬技術領域的普通技術人員明確地理解。

用于實現如上所述的目的的本發明提供一種薄膜形成裝置，向基板的表面上供給化學氣相沉積原料氣體，向所供給的上述化學氣相沉積原料氣體照射激光，利用與上述激光發生反應的上述化學氣相沉積原料氣體，在上述基板形成薄膜，其特征在于，在上述基板的上部設置有腔室單元，上述腔室單元由原料供給機構、氣體滯留腔室、第一排氣部和第二排氣部形成，上述原料供給機構供給原料氣體，上述氣體滯留腔室使向上述原料供給機構供給的原料氣體滯留，上述第一排氣部排出上述氣體滯留腔室排出的原料氣體，上述第二排氣部排出氣體及原料氣體，上述薄膜形成裝置形成向上述氣體滯留腔室的前方向形成均勻的壓力的機構，以便在上述氣體滯留腔室的內部使上述化學氣相沉積原料氣體的流動變得均勻。

并且，本發明提供一種薄膜形成裝置，其特征在于，在向上述氣體滯留腔室的前方向形成均勻的壓力的機構中，在與從上述原料供給機構向上述氣體滯留腔室供給的原料氣體的供給方向相同的平行線上，向上述原料氣體的供給方向前方(180°)形成有上述第一排氣部，在上述平行線上，向上述第一排氣部的前方形成有上述第一氣體排出部，在供給上述原料氣體的方向的后方，以上述平行線為基準，兩側對稱地分別形成有第二排氣部。

并且，本發明提供一種薄膜形成裝置，其特征在于，在上述腔室單元中，在上述氣體滯留腔室的周邊部形成有一個以上的空氣噴射孔，上述空氣噴射孔向上述基板的表面側噴射空氣。