[發明專利]天線結構

有效

• 申請號: 201710179072.0
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN108631052B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 吳岷锜;陳義閔
• 申請（專利權）人: 智易科技股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種天線結構，包括：

基板，具有一表面；

接地層，形成在該基板的該表面；

第一天線層，形成在該基板的該表面，且包括彼此連接的第一輻射部與第二輻射部；

第二天線層，形成在該基板的該表面，且包括彼此連接的第三輻射部與第四輻射部，該第三輻射部與該第一輻射部連接于一連接處，該連接處與該接地層彼此間隔，且該第四輻射部與該第二輻射部相面對且彼此間隔；

電感元件，跨接該接地層與該連接處；以及

電容元件，跨接該第四輻射部與該第二輻射部。

2.如權利要求1所述的天線結構，還包括：

第一凹槽，設置于該第一輻射部與該第二輻射部彼此連接部位、該第一輻射部與該第二輻射部所圍繞形成的一槽孔；以及

第二凹槽，設置于該第三輻射部與該第四輻射部彼此連接部位、該第三輻射部與該第四輻射部所圍繞形成的另一槽孔。

3.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該第一天線層還包括第五輻射部，該第五輻射部自該第一輻射部往該接地層的方向延伸，而該接地層、該第一輻射部與該第五輻射部之間形成一第一共振腔。

4.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該第二天線層還包括第六輻射部，該第六輻射部自該第三輻射部往該接地層的方向延伸，該接地層、該第三輻射部與該第六輻射部之間形成一第二共振腔。

5.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該第一天線層還包括第五輻射部及第七輻射部，該第七輻射部自該第五輻射部往該接地層的方向延伸；該天線結構還包括第一饋入點，該第一饋入點位于該第七輻射部上。

6.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該第二天線層還包括第六輻射部及第八輻射部，該第八輻射部自該第六輻射部往該接地層的方向延伸；該天線結構還包括第二饋入點，該第二饋入點位于該第八輻射部上。

7.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該第一天線層還包括第五輻射部及第九輻射部，該第九輻射部自該第一輻射部延伸至與該第五輻射部相對配置；該第一輻射部、該第二輻射部、該第五輻射部與該第九輻射部共同構成一平面倒F型天線。

8.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該第二天線層還包括第六輻射部及第十輻射部，該第十輻射部自該第三輻射部延伸至與該第六輻射部相對配置；該第三輻射部、該第四輻射部、該第六輻射部與該第十輻射部共同構成一平面倒F型天線。

9.如權利要求1所述的天線結構，還包括第一凹槽及第二凹槽，該第一凹槽自該第二輻射部的邊緣延伸，該第二凹槽自該第三輻射部的邊緣延伸，且該第一凹槽與該第二凹槽彼此相通。

10.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該接地層具有接地下邊緣，該第一輻射部具有第一上邊緣及第二上邊緣，該接地下邊緣鄰近且面向該第一上邊緣，其中該第一上邊緣與該第二上邊緣對齊。

11.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該接地層具有接地下邊緣，該第一輻射部具有第一上邊緣及第二上邊緣，該接地下邊緣鄰近且面向該第一上邊緣，其中該第一上邊緣與該第二上邊緣之間具有高低差。

12.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該第三輻射部具有第三上邊緣及第四上邊緣，該第三上邊緣與該第四上邊緣對齊。

13.如權利要求1或2所述的天線結構，其中該第三輻射部具有第三上邊緣及第四上邊緣，該第三上邊緣與該第四上邊緣之間具有高低差。