[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201710178639.2 | 申請日: | 2017-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN107275367A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 劉敏鉆;李冠鋒;許乃方 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
一第一基板;
一發光二極管,設置于該第一基板上;
一第一晶體管,設置于該第一基板上,包括:
一第一半導體層;
一第一頂閘極,設置于該第一半導體層上;
一第一底閘極,設置于該第一半導體層下;
一第一源極,與該第一半導體層電性連接;以及
一第一汲極,與該第一半導體層電性連接,其中,該第一汲極與該發光二極管電性連接;以及
一第二晶體管,設置于該第一基板上并且包括一第二半導體層;
其中,該第一半導體層和該第二半導體層其中一者包括一第一硅半導體層,而另一者包括一第一氧化物半導體層。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該第一半導體層包括該第一硅半導體層,以及該第二半導體層包括該第一氧化物半導體層。
3.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該第一半導體層包括該第一氧化物半導體層,以及該第二半導體層包括該第一硅半導體層。
4.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該第一源極和該第一汲極設置于該第一頂閘極下。
5.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該第二晶體管還包括一第一閘極和一第二閘極,該第一閘極和該第二閘極設置于第二半導體層上。
6.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,該第二半導體層包括二第二半導體區域,該二第二半導體區域分別與該第一閘極和該第二閘極重疊。
7.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,該第二晶體管還包括一第七閘極,該第七閘極設置于該第二半導體層下。
8.如權利要求5所述的顯示裝置,其中,該第二半導體層包括該第一硅半導體層。
9.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該第二晶體管還包括一第一閘極和一第二閘極,該第一閘極設置于該第二半導體層上,該第二閘極設置于該第二半導體層下。
10.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該第一源極、該第一汲極、和該第一半導體層為一體成形。
11.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該顯示裝置還包括一第三晶體管,該第三晶體管設置于該第一基板上,其中,該第三晶體管包括一第三半導體層、一第三閘極、和一第四閘極,且該第三閘極和該第四閘極設置于該第三半導體層上。
12.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該顯示裝置還包括一第四晶體管,該第四晶體管設置于該第一基板上,其中,該第四晶體管包括一第四半導體層、一第五閘極、和一第六閘極,該第五閘極設置于該第四半導體層上,該第六閘極設置于該第四半導體層下。
13.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該顯示裝置還包括一第一電容,其中,該第一電容包括一電容電極,且該電容電極和該第一汲極部分重疊。
14.如權利要求1所述的顯示裝置,其中,該顯示裝置還包括一第二電容,其中,該第二電容包括一第五半導體層,該第五半導體層和該第一頂閘極部分重疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





