[發明專利]一種柔性透明導電薄膜及其制備方法在審
| 申請號: | 201710178564.8 | 申請日: | 2017-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN106887274A | 公開(公告)日: | 2017-06-23 |
| 發明(設計)人: | 李民;徐苗;黃東晨;王磊;鄒建華;陶洪 | 申請(專利權)人: | 廣州新視界光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
| 地址: | 510700 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 透明 導電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明實施例涉及半導體制造技術,尤其涉及一種柔性透明導電薄膜及其制備方法。
背景技術
目前現有液晶顯示器、電致發光顯示器、以及觸摸屏等產品中的透明導電薄膜是以ITO(摻錫氧化銦)透明導電薄膜為主導,ITO具有良好的導電性和透過率,然而ITO自身固有的脆性、昂貴的沉積制程以及銦的日益緊缺,限制了ITO在柔性顯示領域的應用。
基于此,新興的柔性透明導電薄膜如碳納米管,石墨烯,導電聚合物,金屬網格以及納米金屬線逐漸進入人們的視野,其中,最受關注的柔性透明導電薄膜為基于納米銀線(AgNW)的透明導電薄膜,AgNW薄膜具有優異的耐彎折性、導電性和高透過率。
然而,AgNW薄膜的耐溫性能較差,導致其無法適用于采用高溫制程制作的薄膜器件領域,如不適用于TFT器件;AgNW薄膜還存在穩定性差的問題,導致其難以廣泛應用于柔性顯示領域。
發明內容
本發明實施例提供一種柔性透明導電薄膜及其制備方法,以解決現有AgNW薄膜耐溫性和穩定性差的問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種柔性透明導電薄膜的制備方法,該制備方法包括:
提供一柔性襯底;
在所述柔性襯底上形成納米材料導電層;
在所述納米材料導電層上形成無機保護層,所述無機保護層的組成材料為至少一種寬禁帶無機材料,所述寬禁帶無機材料的禁帶寬度大于或等于3eV。
進一步地,所述納米材料導電層為碳納米管導電層、石墨烯導電層和納米金屬線導電層中的任意一種導電層。
進一步地,所述納米金屬線導電層為納米銀線導電層、納米鋁線導電層、納米金線導電層和納米銅線導電層中的任意一種導電層。
進一步地,采用溶液加工法在所述柔性襯底上形成所述納米材料導電層,所述溶液加工法為旋涂、噴涂、轉印、刮涂、狹縫涂覆或噴墨打印。
進一步地,所述納米材料導電層的厚度為20nm~200nm。
進一步地,所述寬禁帶無機材料為金屬氧化物、或氮化物、或硅化物。
進一步地,所述寬禁帶無機材料為金屬氧化物;所述無機保護層的組成材料包括:氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、氧化鎂和氧化鋯中的任意一種或組合。
進一步地,采用真空沉積法、溶液加工法或噴墨打印法在所述納米材料導電層上形成所述無機保護層。
進一步地,所述無機保護層的厚度為5nm~200nm。
第二方面,本發明實施例還提供了一種柔性透明導電薄膜,該柔性透明導電薄膜包括:
柔性襯底;
位于所述柔性襯底上的納米材料導電層;
位于所述納米材料導電層上的無機保護層,所述無機保護層的組成材料為至少一種寬禁帶無機材料,所述寬禁帶無機材料的禁帶寬度大于或等于3eV。
本發明實施例提供的柔性透明導電薄膜,在納米材料導電層上形成了無機保護層,無機保護層由至少一種寬禁帶無機材料組成,寬禁帶無機材料的禁帶寬度大于或等于3eV。本發明實施例中無機保護層覆蓋在納米材料導電層上,能夠阻隔水氧以保護納米材料導電層,也能夠有效改善納米材料導電層的穩定性和耐高溫性,進而實現柔性透明導電薄膜的高穩定性和優異的耐溫性能,而禁帶寬度在3eV及以上的無機材料在可見光區域基本無吸收,因此形成的無機保護層也不會導致納米材料導電層的透過率在可見光范圍內(尤其是380-500nm波段)發生嚴重的衰減。顯然,AgNW薄膜屬于納米材料導電層的一種,因此本發明實施例能夠解決現有AgNW薄膜耐溫性和穩定性差的問題,不僅適用于高溫制程的薄膜器件,還廣泛適用于柔性顯示器件。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發明實施例一提供的柔性透明導電薄膜的制備方法的流程圖;
圖2A是不同柔性透明導電薄膜的性能示意圖;
圖2B是不同柔性透明導電薄膜的透過率示意圖;
圖3是本發明實施例二提供的柔性透明導電薄膜的示意圖;
圖4是本發明實施例二提供的柔性透明導電薄膜的制程圖。
具體實施方式
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