[發明專利]一種漏極輕偏移結構的制備方法有效
| 申請號： | 201710178098.3 | 申請日： | 2017-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN106847702B | 公開（公告）日： | 2019-11-15 |
| 發明（設計）人： | 李松舉;李成;祝漢泉;蘇君海;李建華 | 申請（專利權）人： | 信利(惠州)智能顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 44202 廣州三環專利商標代理有限公司 | 代理人： | 章蘭芳<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 516029廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 漏極輕 偏移 結構 制備 方法 | ||
1.一種漏極輕偏移結構的制備方法，包括玻璃基板晶化、P-Si襯底成像、柵極絕緣層成膜與柵極層成膜步驟，其特征在于，通過以下步驟形成漏極輕偏移結構：
涂膠步驟：在所述柵極層上涂覆光刻膠層；
半色調曝光步驟：通過半色調掩膜對所述光刻膠層進行曝光；具體是，紫外線透過所述半色調掩膜板的完全透光區域、部分透光區域和不透光區域對所述光刻膠層進行曝光；
顯影步驟：將半色調曝光后的所述光刻膠層顯影；
第一次金屬刻蝕步驟：將所述柵極層刻蝕為與顯影后的光刻膠層兩端齊平；
第一次離子注入步驟：進行重摻雜離子注入，形成源極或漏極重摻雜區；具體是，將重摻雜離子注入到所述P-Si襯底層的未被第一次金屬刻蝕后的柵極層遮擋的部分，形成源極或漏極重摻雜區；
光刻膠灰化步驟：對所述光刻膠層進行灰化，去除厚度小的部分；
第二次金屬刻蝕步驟：將所述柵極層刻蝕為與灰化后的光刻膠兩端齊平；
脫膜步驟：將所述光刻膠層剝離；
第二次離子注入步驟：進行輕摻雜離子注入，形成柵極輕摻雜區和漏極輕摻雜區；具體是，將輕摻雜離子注入到第二次金屬刻蝕后的柵極層上，形成柵極輕摻雜區，并將輕摻雜離子注入到所述P-Si襯底層的未被第二次金屬刻蝕后的柵極層遮擋的部分，形成漏極輕摻雜區。
2.根據權利要求1所述的一種漏極輕偏移結構的制備方法，其特征在于：在所述顯影步驟中，將所述光刻膠層顯影后形成完全曝光區域、部分曝光區域和不曝光區域，所述顯影后的光刻膠層的部分曝光區域的厚度小于不曝光區域的厚度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
