[發明專利]噴頭在審
| 申請號: | 201710177867.8 | 申請日: | 2017-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN107267958A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 邱志強;劉定一;林錦楓;呂伯雄 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴頭 | ||
技術領域
本發明的實施例涉及噴頭。
背景技術
在一些半導體工藝期間,通過沉積來處理襯底或晶圓。例如,在等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)或等離子體增強原子層沉積(PEALD)中,處理氣體被允許進入保持在減小的壓力下的反應室內,并且對腔室施加射頻(RF)的振動電能以將氣體激發成等離子體。該氣體與暴露于等離子體的襯底或晶圓的表面反應以在晶圓上形成源自處理氣體的組分的膜。期望形成在晶圓或襯底上的膜具有良好的均勻性。因此,用于半導體工藝的半導體裝置必須設計為確保沉積在晶圓或襯底上的膜的良好的均勻性。
發明內容
本發明的實施例提供了一種噴頭,所述噴頭配置為安裝在處理室之上并且將處理氣體提供在所述處理室內的半導體晶圓上,所述噴頭包括:供氣腔;花盤,設置在所述供氣腔的一側處以用于提供從所述供氣腔流至所述半導體晶圓的所述處理氣體;以及電極板組件,設置在氣體源和所述供氣腔之間以用于將所述處理氣體從所述氣體源提供至所述供氣腔,所述電極板組件包括:第一板,具有一體化結構并且具有多個第一氣孔;和第二板,具有一體化結構并且具有多個第二氣孔,其中,所述第二板位于所述第一板和所述供氣腔之間并且與所述第一板分離,所述多個第二氣孔與所述多個第一氣孔部分地重疊但是未對準。
本發明的另一實施例提供了一種半導體處理裝置,包括:處理室;襯底支撐件,配置為支撐設置在所述處理室內的半導體晶圓;以及噴頭,配置為安裝在所述處理室上以用于將處理氣體提供在所述半導體晶圓上,所述噴頭包括:
供氣腔;
花盤,設置在所述供氣腔的一側處以用于提供從所述供氣腔流至所述半導體晶圓的所述處理氣體;和電極板組件,設置在氣體源和所述供氣腔之間以用于將所述處理氣體從所述氣體源提供至所述供氣腔,所述電極板組件包括:第一板,具有一體化結構并且具有多個第一氣孔;和第二板,具有一體化結構并且具有多個第二氣孔,其中,所述第二板位于所述第一板和所述供氣腔之間并且與所述第一板分離,并且所述多個第二氣孔與所述多個第一氣孔部分地重疊但是未對準。
本發明的又一實施例提供了一種半導體工藝,包括:將半導體晶圓定位在處理室中;以及通過噴頭將處理氣體提供在所述處理室內的半導體晶圓上,所述噴頭包括:供氣腔;花盤,設置在所述供氣腔的一側處以用于提供從所述供氣腔流至所述半導體晶圓的所述處理氣體;和電極板組件,設置在氣體源和所述供氣腔之間以用于將所述處理氣體從所述氣體源提供至所述供氣腔,所述電極板組件包括:第一板,具有一體化結構并且具有多個第一氣孔;和第二板,具有一體化結構并且具有多個第二氣孔,所述第二板位于所述第一板和所述供氣腔之間并且與所述第一板分離;以及通過使所述第二板相對于所述第一板偏移以使所述多個第二氣孔與所述多個第一氣孔部分地重疊但是未對準來調節所述處理氣體。
附圖說明
當結合附圖進行閱讀時,從以下詳細描述可最佳理解本發明的各方面。應該注意,根據工業中的標準實踐,各個部件未按比例繪制。實際上,為了清楚的討論,各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。
圖1是根據本發明的實施例的半導體處理裝置的示意性截面圖。
圖2是圖1的半導體處理裝置的電極板組件的示意性部分頂視圖。
圖3是根據本發明的實施例的示出半導體工藝的流程圖。
圖4是根據本發明的另一實施例的示出半導體工藝的流程圖。
具體實施方式
以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然,這些僅僅是實例,而不旨在限制本發明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件,從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外,本發明可在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的,并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。
而且,為便于描述,在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對術語,以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外,空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上),而本文使用的空間相對描述符可以同樣地作相應的解釋。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





