[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高鈣鈦礦發(fā)光器件壽命的方法及鈣鈦礦發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710177638.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108630831B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王建浦;王娜娜;黃維;柯友;繆炎峰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/56 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 11556 北京恒創(chuàng)益佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 柴淑芳<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入 |
| 地址: | 210009 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦 發(fā)光器件 鈣鈦礦薄膜 化學(xué)鍵 外量子效率 有機(jī)改性劑 陽(yáng)離子 陰離子 溶劑 改性 環(huán)狀脂肪族化合物 芳香族化合物 有機(jī)化合物 雜環(huán)化合物 表面改性 表面缺陷 表面形成 改性層 改性劑 浸泡法 熱退火 旋涂法 不溶 配位 衰減 直鏈 制備 | ||
1.一種提高鈣鈦礦發(fā)光器件壽命的方法,其特征在于,通過(guò)有機(jī)改性劑對(duì)鈣鈦礦發(fā)光器件中鈣鈦礦薄膜表面進(jìn)行改性,將所述有機(jī)改性劑溶于溶劑中,鈣鈦礦薄膜應(yīng)不溶于所述溶劑,利用旋涂法或浸泡法在鈣鈦礦表面形成改性層,并進(jìn)行熱退火;所述改性劑是一種能與鈣鈦礦薄膜表面的陽(yáng)離子和陰離子形成化學(xué)鍵從而達(dá)到改性效果的有機(jī)化合物,所述有機(jī)化合物選自直鏈或環(huán)狀脂肪族化合物,或者選自芳香族化合物或雜環(huán)化合物;
所述直鏈或環(huán)狀脂肪族化合物選自直鏈或環(huán)狀脂肪烴化合物CnHm及其衍生物,n、m分別表示碳原子、氫原子的個(gè)數(shù);所述芳香族化合物選自芳香烴化合物CnHm及其衍生物;所述雜環(huán)化合物選自五元雜環(huán)化合物、六元雜環(huán)化合物、稠環(huán)雜環(huán)化合物及其衍生物之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述鈣鈦礦薄膜為ABX3型鈣鈦礦,其中:
1)所述A為金屬陽(yáng)離子或烷基銨鹽,B為二價(jià)金屬陽(yáng)離子,選自Cu2+、Ni2+、Co2+、Fe2+、Mn2+、Cr2+、Pd2+、Cd2+、Ge2+、Sn2+、Pb2+、Eu2+、Yb2+之一;X為鹵素陰離子,選自I-、Br-、Cl-之一;
2)鈣鈦礦ABX3前驅(qū)體溶液由AX和BX2以摩爾比例1:100-100:1,質(zhì)量濃度1%-50%溶于溶劑中;所述溶劑為N,N-二甲基甲酰胺,二甲基亞砜,γ-丁內(nèi)酯之一或按一定比例配成的混合溶劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述金屬陽(yáng)離子選自Cs+,K+,Rb+之一;所述烷基銨鹽選自CH3NH3+、NH2CHNH2+之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述芳香烴化合物為單環(huán)芳香環(huán)、多環(huán)芳香環(huán)之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述雜環(huán)化合物為單環(huán)化合物、多環(huán)化合物之一,所含雜原子個(gè)數(shù)應(yīng)為單個(gè)或多個(gè),所含雜原子為O、S、N、P、Se、Si之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述雜環(huán)化合物為五元雜環(huán)化合物、六元雜環(huán)化合物、稠環(huán)雜環(huán)化合物之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述直鏈脂肪烴化合物為n=1-18的烷;或者所述直鏈脂肪烴化合物為n=1-10的烯或n=1-10的炔;所述環(huán)狀脂肪烴化合物為n=3-10的環(huán)烷,或者所述環(huán)狀脂肪烴化合物為環(huán)烯,所述環(huán)烯為n=3-10的單環(huán)烯、雙環(huán)烯、橋環(huán)烯、稠環(huán)烯;或者所述環(huán)狀脂肪烴化合物為n=3-10的環(huán)炔。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于南京工業(yè)大學(xué),未經(jīng)南京工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710177638.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 上一篇:透明OLED顯示面板及其制作方法
- 下一篇:金屬蔭罩及其制備方法
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線(xiàn)輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 用于調(diào)整化學(xué)鍵圖形的角度的方法和裝置
- 應(yīng)變記憶作用的半導(dǎo)體器件的制造方法
- 顯影輥、處理盒和電子照相成像設(shè)備
- 形狀記憶聚合物材料組合物、方法和應(yīng)用
- 半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置以及記錄介質(zhì)
- 一種化學(xué)教學(xué)用分子結(jié)構(gòu)及化學(xué)鍵分類(lèi)組裝模型
- 利用微下拉法快速生長(zhǎng)稀土晶體光纖的方法
- 形狀記憶聚合物材料組合物、方法和應(yīng)用
- 包含可斷裂化學(xué)鍵載藥膠束的藥物釋放過(guò)程的模擬方法
- 一種生物化學(xué)的分子結(jié)構(gòu)演示模型





