[發明專利]射頻線圈陣列及磁共振成像發射陣列

有效

• 申請號: 201710177525.6
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN108627783B
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 宋婷婷;德斯蒙德泰克崩·楊;胡國蕐;蔣鑫
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: G01R33/34
• 分類號: G01R33/34;G01R33/341;G01R33/48;A61B5/055
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種應用于磁共振成像中的射頻線圈陣列，其包括：

多個發射線圈單元；

多個射頻功率放大器，其中，每一個射頻功率放大器與至少一個發射線圈單元相集成以驅動所述至少一個發射線圈單元；以及

用于屏蔽所述多個發射線圈單元的射頻屏蔽裝置，

其中，每兩個相鄰的發射線圈單元經由射頻扼流圈連接，所述多個發射線圈單元經由直流電壓源連接至所述射頻屏蔽裝置；或者

其中，每一個發射線圈單元經由射頻扼流圈連接到所述直流電壓源。

2.如權利要求1所述的射頻線圈陣列，其中，所述多個發射線圈單元是非諧振的。

3.如權利要求1所述的射頻線圈陣列，其中，所述多個射頻功率放大器中的每一個具有電壓源或電流源的特性。

4.如權利要求1所述的射頻線圈陣列，其中，所述發射線圈單元是一段輻射導體或是一個小線圈。

5.如權利要求1所述的射頻線圈陣列，其中，每一個射頻功率放大器包括MOSFET。

6.如權利要求5所述的射頻線圈陣列，其中，每一個射頻功率放大器包括直接連接到一個發射線圈單元的獨立封裝的MOSFET或者半導體MOSFET芯片。

7.如權利要求5所述的射頻線圈陣列，其中，每一個射頻功率放大器還包括與所述MOSFET并聯連接的可變電容。

8.如權利要求1所述的射頻線圈陣列，其中，所述多個發射線圈單元被布置成在x, y和/或z軸上的矩陣線圈陣列。

9.如權利要求8所述的射頻線圈陣列，其中，所述多個發射線圈單元被配置成體線圈或局部表面線圈。

10.如權利要求1所述的射頻線圈陣列，其中，與各自的射頻功率放大器集成的所述多個發射線圈單元被安裝到所述射頻屏蔽裝置上。

11.一種磁共振成像發射陣列，其包括：

多個射頻發射器，其用于生成多個射頻信號；

如權利要求1至9中任一項所述的射頻線圈陣列，所述射頻線圈陣列還包括射頻屏蔽裝置，其用于屏蔽所述多個發射線圈單元與磁體低溫恒溫器和梯度線圈單元的相互作用，其中，所述多個射頻功率放大器與各自的射頻發射器連接并且被配置用于將來自所述各自的射頻發射器的所述射頻信號進行功率放大，并且，所述多個發射線圈單元被配置用于發射各自的放大后的射頻信號，以便提供多通道并行發射；及

直流電壓源，其用于向所述多個發射線圈單元提供直流電壓。

12.如權利要求11所述的磁共振成像發射陣列，其中，每一個發射線圈單元經由電容電性連接到所述射頻屏蔽裝置。

13.如權利要求11所述的磁共振成像發射陣列，其中每一個發射線圈單元電性連接到所述射頻屏蔽裝置。

14.如權利要求11所述的磁共振成像發射陣列，其中，所述多個發射線圈單元中的至少一部分由各自的射頻發射器選擇性激勵。

15.如權利要求11所述的磁共振成像發射陣列，其還包括：

多個無線接收器，其用于接收來自上位機的多個無線數字信號并將所述多個無線數字信號傳送給所述各自的射頻發射器。