[發明專利]高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201710177354.7
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN106887516A
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 吳海飛;余亞東;徐珊瑚
• 申請（專利權）人: 紹興文理學院
• 主分類號: H01L35/34
• 分類號: H01L35/34;H01L35/14
• 代理公司: 北京華仲龍騰專利代理事務所(普通合伙)11548
• 代理人: 李靜

1.一種高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)對襯底進行清潔處理；

(2)在一定的襯底溫度下，利用分子束外延法得到一定Ag摻雜量的PbTe基熱電薄膜。

2.根據權利要求1所述高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：

步驟(1)中，以BaF₂為襯底，在大氣下將襯底解理得到新鮮表面，再用純凈氮氣對解離表面進行吹洗，然后，將襯底放入進樣室以200℃烘烤40min，進樣室的本底真空度小于3×10^-7Torr；然后，將襯底轉移到生長室，繼續加熱到550℃保持10min，以對襯底進行進一步的清潔處理。

3.根據權利要求2所述高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：襯底表面的清潔程度可通過分子束外延配備的RHEED來檢測。

4.根據權利要求1所述高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)所述一定的襯底溫度為350℃。

5.根據權利要求1所述高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)所述一定Ag摻雜量為不大于5％的Ag摻雜量。

6.根據權利要求1所述高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)利用分子束外延法制備Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的過程中：分子束外延系統的生長室中配備PbTe、Te和Ag三個束源爐，各束源爐的束流通過溫度來調控；生長室的本底真空小于2.3×10^-9Torr；薄膜生長過程中控制襯底溫度為350℃，薄膜的生長速率為1.0μm/h，薄膜厚度為1.0μm。

7.根據權利要求6所述高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：所述束源爐的純度均不小于99.999％。

8.根據權利要求6所述高結晶質量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，各束源爐的溫度調控程序為：先將PbTe、Te和Ag三個束源爐分別在545℃、230℃和655～675℃下除氣2分鐘，再分別以540℃、225℃和650～670℃進行生長。