[發(fā)明專利]高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710177354.7
• 申請(qǐng)日: 2017-03-23
• 公開（公告）號(hào): CN106887516A
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳海飛;余亞東;徐珊瑚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 紹興文理學(xué)院
• 主分類號(hào): H01L35/34
• 分類號(hào): H01L35/34;H01L35/14
• 代理公司: 北京華仲龍騰專利代理事務(wù)所(普通合伙)11548
• 代理人: 李靜

1.一種高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)對(duì)襯底進(jìn)行清潔處理；

(2)在一定的襯底溫度下，利用分子束外延法得到一定Ag摻雜量的PbTe基熱電薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：

步驟(1)中，以BaF₂為襯底，在大氣下將襯底解理得到新鮮表面，再用純凈氮?dú)鈱?duì)解離表面進(jìn)行吹洗，然后，將襯底放入進(jìn)樣室以200℃烘烤40min，進(jìn)樣室的本底真空度小于3×10^-7Torr；然后，將襯底轉(zhuǎn)移到生長室，繼續(xù)加熱到550℃保持10min，以對(duì)襯底進(jìn)行進(jìn)一步的清潔處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：襯底表面的清潔程度可通過分子束外延配備的RHEED來檢測(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)所述一定的襯底溫度為350℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)所述一定Ag摻雜量為不大于5％的Ag摻雜量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)利用分子束外延法制備Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的過程中：分子束外延系統(tǒng)的生長室中配備PbTe、Te和Ag三個(gè)束源爐，各束源爐的束流通過溫度來調(diào)控；生長室的本底真空小于2.3×10^-9Torr；薄膜生長過程中控制襯底溫度為350℃，薄膜的生長速率為1.0μm/h，薄膜厚度為1.0μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于：所述束源爐的純度均不小于99.999％。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述高結(jié)晶質(zhì)量N型Ag摻雜PbTe基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，各束源爐的溫度調(diào)控程序?yàn)椋合葘bTe、Te和Ag三個(gè)束源爐分別在545℃、230℃和655～675℃下除氣2分鐘，再分別以540℃、225℃和650～670℃進(jìn)行生長。