[發(fā)明專利]一種用于太陽能組件的層壓裝置及其層壓封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710177267.1 | 申請日： | 2017-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN106972073B | 公開（公告）日： | 2019-01-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊德兵;楊潔 | 申請（專利權(quán)）人： | 鹽城大學科技園有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/048 | 分類號： | H01L31/048;H01L31/18;B32B37/10;B32B37/06;B32B37/00 |
| 代理公司： | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人： | 于曉霞;于潔 |
| 地址： | 224014 江蘇省鹽城市鹽都區(qū)鹽龍*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 太陽能 組件 層壓 裝置 及其 封裝 方法 | ||
1.一種用于太陽能組件的層壓裝置，包括基板(1)和壓板(2)，液壓缸(3)帶動壓板(2)上下運動，實現(xiàn)基板(1)與壓板(2)的壓合，壓板(2)底面設置有硅膠膜(4)，當基板(1)和壓板(2)壓合時，硅膠膜(4)與壓板(2)之間形成上腔室(5)，硅膠膜(4)與基板(1)之間形成下腔室(6)，上腔室(5)和下腔室(6)內(nèi)分別連接有真空管路(7)，基板(1)表面設置有若干個頂針(8)，頂針(8)上鋪設有緩沖墊(9)，其特征在于：基板(1)內(nèi)設置有安裝孔(10)，頂針(8)通過升降桿(11)安裝在安裝孔(10)內(nèi)，升降桿(11)的底部設置有隔熱套(12)；基板(1)內(nèi)設置電加熱絲(15)，安裝孔(10)底部設置有螺旋導油管(13)，螺旋導油管(13)的進油端設置有導熱翅片(14)，電加熱絲(15)貫穿導熱翅片(14)，升降桿(11)和隔熱套(12)位于螺旋導油管(13)的內(nèi)部；安裝孔(10)的頂部設置有環(huán)形凹槽(19)，頂針(8)的邊緣通過第一彈簧體(20)設置有金屬彈片(21)，金屬彈片(21)外側(cè)設置有硅膠緩沖墊(22)，當頂針(8)下落時，金屬彈片(21)與環(huán)形凹槽(19)過盈配合；壓板(2)的邊緣設置有滑軌(16)，滑軌(16)內(nèi)滑動設置有夾持塊(17)，夾持塊(17)與第一氣缸(18)相連，夾持塊(17)固定加持在硅膠膜(4)的邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能組件的層壓裝置，其特征在于：所述頂針(8)的頂部中心設置有橡膠塊(23)，橡膠塊(23)頂部為弧形面(24)，弧形面(24)的頂部高于頂針(8)的頂面，橡膠塊(23)內(nèi)設置有豎直設置的第一通孔(25)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于太陽能組件的層壓裝置，其特征在于：所述頂針(8)內(nèi)設置有第一連桿(26)，第一連桿(26)的一端與橡膠塊(23)連接，第一連桿(26)的另一端與第一彈簧體(20)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能組件的層壓裝置，其特征在于：所述壓板(2)的底面邊緣通過第二氣缸(27)豎直設置有若干個下壓桿(28)，下壓桿(28)底部通過萬向節(jié)(29)設置有壓頭(30)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于太陽能組件的層壓裝置，其特征在于：所述壓頭(30)的邊緣設置有若干個定位桿(31)，壓頭(30)中心設置有吸盤(32)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能組件的層壓裝置，其特征在于：所述螺旋導油管(13)的表面設置有梯形凹槽(33)，梯形凹槽(33)的頂部開口寬度大于底部寬度，梯形凹槽(33)內(nèi)設置有散熱片(34)，散熱片(34)的頂部設置有弧形部(35)，弧形部(35)與螺旋導油管(13)的曲率半徑相同，且曲率半徑的方向相反。
7.一種權(quán)利要求1-6任意一項所述的用于太陽能組件的層壓裝置的層壓封裝方法，其特征在于包括以下步驟：
A、基板(1)的加熱溫度控制在103～110℃，頂針(8)頂起，將太陽能組件放置在緩沖墊(9)上，基板(1)和壓板(2)閉合；
B、下腔室(6)抽真空，與此同時頂針(8)下降，硅膠緩沖墊(22)與環(huán)形凹槽(19)相接觸時停止下降；當下腔室(6)的壓強降至85KPa時，上腔室(5)開始抽真空，與此同時頂針(8)繼續(xù)下降，至頂針(8)完全進入基板(1)內(nèi)；下腔室(6)壓強降低的速度控制在上腔室(5)壓強降低速度的1.1～1.3倍；
C、當下腔室(6)的壓強達到0.5KPa時，上腔室(5)與下腔室(6)停止抽真空，基板(1)的加熱溫度提高至115～117℃，保持2～3min；
D、然后對上腔室(5)繼續(xù)抽真空，使上腔室(5)和下腔室(6)的壓強保持一致，保持5～10min；
E、基板(1)的加熱溫度降低至105～108℃，對上腔室(5)加壓，使上腔室(5)的壓強提高至70KPa，保持8～12min；
F、基板(1)的加熱溫度降低至85～90℃，同時上腔室(5)和下腔室(6)注氣破真空，破真空的時間控制在2～3min；
G、對太陽能組件進行冷卻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于太陽能組件的層壓裝置的層壓封裝方法，其特征在于：步驟B中，第一氣缸(18)帶動夾持塊(17)向外移動，使硅膠膜(4)的表面張力提高60％～70％；步驟F中，在破真空前，第一氣缸(18)帶動夾持塊(17)恢復原始位置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于鹽城大學科技園有限公司，未經(jīng)鹽城大學科技園有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710177267.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
