[發明專利]半導體集成電路芯片以及半導體集成電路晶片

有效

• 申請號: 201710177252.5
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN107230671B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 大渕篤;米岡卓;加賀博史
• 申請（專利權）人: 辛納普蒂克斯日本合同會社
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L23/528;H01L23/58
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧霽晨;鄭冀之

1.一種半導體集成電路芯片，具有：半導體基板；半導體電路，形成于所述半導體基板的上方，在上下具有多層布線結構；金屬制的保護環，形成于所述半導體基板的上方，包圍所述半導體電路；以及多個外部連接端子，與所述半導體電路具有的所述多層布線結構的規定的布線連接并在表面露出，其中，

所述多個外部連接端子內的規定的外部連接端子在所述金屬制的保護環的內側經由導電性的通孔與所述規定的布線導通，在所述金屬制的保護環的外側經由導電性的通孔與導電性切片導通，

所述導電性切片是測試用引出布線的切片，是通過切割使其切斷面露出的布線，

其中，所述外部連接端子由貴金屬布線材料構成，所述導電性切片以及所述金屬制的保護環由鋁布線材料構成。

2.如權利要求1所述的半導體集成電路芯片，其中，所述多個外部連接端子的第二規定的外部連接端子耦合到所述集成電路芯片的內部區域內的第一規定的外部連接端子，以及所述第一規定的外部連接端子和所述第二規定的外部連接端子具有共同的功能。

3.如權利要求1所述的半導體集成電路芯片，其中，

所述導電性切片進入從所述金屬制的保護環的外側向內側凹陷的凹陷部并在上下方向與外部連接端子重疊的位置經由導電性的通孔連接于外部連接端子。

4.如權利要求1所述的半導體集成電路芯片，其中，

所述導電性切片是從在被切割的切割區域形成的測試焊盤延伸的布線。

5.如權利要求1所述的半導體集成電路芯片，其中，

所述金屬制的保護環由在所述多層布線結構的各布線層以圍繞所述半導體電路的外側的方式分別在上下方向重疊地配置的形成閉路的閉路布線和將在上下方向相鄰的布線層的所述閉路布線彼此在該上下方向連接的導電性的圍繞通孔構成。

6.一種半導體集成電路晶片，在半導體晶片上多個芯片形成區域隔開配置，所述芯片形成區域之間為切割區域，其中，

各個所述芯片形成區域具有：半導體電路，形成于所述半導體晶片的上方，在上下具有多層布線結構；金屬制的保護環，形成于所述半導體晶片的上方，包圍所述半導體電路；以及多個外部連接端子，與所述半導體電路具有的所述多層布線結構的規定的布線連接并在表面露出，

所述切割區域具有多個測試焊盤，

在各個芯片形成區域所述多個外部連接端子內的具有同一功能的規定的多個外部連接端子在所述金屬制的保護環的內側經由導電性的通孔與所述規定的布線導通，在所述金屬制的保護環的外側經由導電性的通孔與從所述測試焊盤引出的測試用引出布線連接，

其中，所述外部連接端子由貴金屬布線材料構成，所述金屬制的保護環由鋁布線材料構成。

7.如權利要求6所述的半導體集成電路晶片，其中，第二規定的外部連接端子與第一規定的外部連接端子耦合，以及具有和所述第一規定的外部連接端子共同的功能。

8.如權利要求6所述的半導體集成電路晶片，其中，

所述具有同一功能的規定的多個外部連接端子在該芯片形成區域導通，

在所述半導體晶片上夾著所述切割區域配置有在一個方向排列的3個以上的所述芯片形成區域，從在所述切割區域形成的所述測試用焊盤朝向兩側的芯片形成區域引出測試用引出布線，引出的所述測試用引出布線連接于在其兩側的芯片形成區域的每一個形成的彼此具有同一功能的所述規定的外部連接端子。

9.如權利要求8所述的半導體集成電路晶片，其中，

所述規定的外部連接端子是電源端子或者接地端子。

10.如權利要求6所述的半導體集成電路晶片，其中，

所述測試用引出布線進入從所述金屬制的保護環的外側向內側凹陷的凹陷部并在上下方向與外部連接端子重疊的位置經由導電性的通孔連接于外部連接端子。