[發明專利]一種水平方向對稱的高階超模方向耦合波導探測器有效
| 申請號： | 201710176436.X | 申請日： | 2017-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN106842421B | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發明（設計）人： | 余學才;童文強;李林松;馬朝陽 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏;王偉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 水平 方向 對稱 高階超模 耦合 波導 探測器 | ||
1.一種水平方向對稱的高階超模方向耦合波導探測器，其特征在于，包括從下往上依次設置的襯底層(1)、波導層(2)、吸收層(3)以及覆蓋層(4)；
所述波導層(2)由左波導(21)、中波導(22)和右波導(23)并排構成，左波導(21)和右波導(23)結構相同且呈水平對稱分布設置；所述中波導(22)的表面中心位置有一入射光區域(5)，光由入射光區域(5)入射進波導層(2)，在波導層(2)內向前傳播的同時被吸收層(3)吸收；
所述吸收層(3)包括第一吸收層(31)和第二吸收層(32)，第一吸收層(31)放置于左波導(21)上，第二吸收層(32)放置于右波導(23)上；
所述覆蓋層(4)包括第一覆蓋層(41)和第二覆蓋層(42)，第一覆蓋層(41)覆蓋于第一吸收層(31)頂上，第二覆蓋層(42)覆蓋于第二吸收層(32)頂上。
2.根據權利要求1所述的高階超模方向耦合波導探測器，其特征在于，所述襯底層(1)的材料為InP，折射率為3.14。
3.根據權利要求1所述的高階超模方向耦合波導探測器，其特征在于，所述波導層(2)的材料為InGaAsP，折射率為3.3，厚度為5μm。
4.根據權利要求1所述的高階超模方向耦合波導探測器，其特征在于，所述吸收層(3)的材料為InGaAs，折射率為3.56-0.1i，厚度為0.12μm。
5.根據權利要求1所述的高階超模方向耦合波導探測器，其特征在于，所述覆蓋層(4)的材料為InP，厚度為0.8μm。
6.根據權利要求1所述的高階超模方向耦合波導探測器，其特征在于，所述左波導(21)、中波導(22)和右波導(23)的寬度均為5μm，波導層(2)的總寬度為15μm。
7.根據權利要求1-6任一所述的高階超模方向耦合波導探測器，其特征在于，所述波導層(2)底端與襯底層(1)接觸的部位設置有覆蓋過渡層(6)，用于限制光功率泄漏到空氣中，降低能量損耗。
8.根據權利要求7所述的高階超模方向耦合波導探測器，其特征在于，所述覆蓋過渡層(6)的厚度為0.5μm。
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