[發(fā)明專利]一種防電源反接防雙向浪涌器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710175997.8
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN106972014B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒有彪;劉宗賀;王泗禹;徐玉豹
• 申請（專利權(quán)）人: 富芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/8222
• 代理公司: 北京和信華成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11390
• 代理人: 胡劍輝

1.一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，主要由防電源反接單元和瞬態(tài)抑制單元構(gòu)成的三端子保護(hù)器件，所述防電源反接單元包括至少一個二極管D；所述瞬態(tài)抑制單元包括至少一個雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管和至少一個單向TVS瞬態(tài)抑制二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，所述二極管D為一個，雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管為一個，單向TVS瞬態(tài)抑制二極管為一個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，所述二極管D的陽極與雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管的一端相連，構(gòu)成第一主端子T1；二極管D的陰極與雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管的另一端相連并與單向TVS瞬態(tài)抑制二極管的陰極端相連構(gòu)成第三主端子T3；單向TVS瞬態(tài)抑制二極管的陽極端為第二主端子T2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，所述二極管D包括：n型半導(dǎo)體襯底，形成于n型半導(dǎo)體襯底中的p型接觸區(qū)，形成于n型半導(dǎo)體襯底中的n型接觸區(qū)；所述二極管D還包括形成于p型接觸區(qū)及n型接觸區(qū)中的金屬電極，兩個金屬電極分別構(gòu)成第一主端子T1、第三主端子T3的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，所述p型接觸區(qū)為p型摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域或肖特基勢壘區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，所述雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管包括：n型半導(dǎo)體襯底，形成于n型半導(dǎo)體襯底中的p阱，形成于p阱中的n阱以及形成于n阱中的兩塊p型半導(dǎo)體區(qū)域；所述雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管還包括形成于兩塊p型半導(dǎo)體區(qū)域中的兩個金屬電極，兩個電極分別構(gòu)成第一主端子T1、第三主端子T3的一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，所述單向TVS瞬態(tài)抑制二極管包括：n型半導(dǎo)體襯底；形成于n型半導(dǎo)體襯底另一面中的n阱，形成于n阱中p型半導(dǎo)體區(qū)域以及形成于p型半導(dǎo)體區(qū)域中的金屬電極，該電極構(gòu)成第二主端子T2。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，所述雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管和單向TVS瞬態(tài)抑制二極管的基底為n型襯底或p型襯底。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種防電源反接防雙向浪涌器件，其特征在于，所述二極管D、雙向TVS瞬態(tài)抑制二極管和單向TVS瞬態(tài)抑制二極管的基底為硅、鍺硅、砷化鎵、碳化硅或氮化鎵。