[發(fā)明專利]一種微小平面零件的無切割自成型方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710175459.9
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN106893974B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 易泰民;邢丕峰;鄭鳳成;楊蒙生;王紅蓮;柯博;趙利平;謝軍;李翠;高莎莎;李寧
• 申請（專利權(quán)）人: 中國工程物理研究院激光聚變研究中心
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/35;C23C16/01;C23C16/02;C23C16/50
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 侯靜

1.一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于它是按以下步驟完成的：

一、模板制備：在預(yù)制圖形的Si基片上采用熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)制備厚度為90nm～110nm的CsI脫模劑，即得到鍍脫模劑的模板，模板在真空或干燥環(huán)境下保存；所述預(yù)制圖形的Si基片包括邊緣突起部、圖形突起部和凹槽，所述的圖形突起部是根據(jù)微小平面零件的平面結(jié)構(gòu)形狀制備而成，所述凹槽的寬度為10μm～30μm，凹槽的深寬比不小于1，凹槽的陡直度90°±5°；

二、制備微小平面零件材料薄膜：采用沉積法在鍍脫模劑的模板上制備微小平面零件材料薄膜，得到包含微小平面零件材料薄膜的模板；

三、脫模：釋放包含微小平面零件材料薄膜模板表面的微小平面零件薄膜，即得到微小平面零件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于步驟一中所述的預(yù)制圖形的Si基片是按以下方法制備的：①、基片清洗：采用厚度為250μm單晶拋光硅片作為基片，且基片的表面粗糙度Ra＜5nm，對基片進(jìn)行清洗，然后吹干，得到清洗后基片；②、模板加工：采用光刻圖形復(fù)制與Si深反應(yīng)離子刻蝕光刻工藝將基片加工成模板，去掉光刻膠與切屑，洗凈后用氮氣吹干，得到預(yù)制圖形的Si基片；所述模板包括邊緣突起部、圖形突起部和凹槽，所述的圖形突起部是根據(jù)微小平面零件的平面結(jié)構(gòu)形狀制備而成，所述凹槽的寬度為10μm～30μm，凹槽的深寬比不小于1，凹槽的陡直度90°±5°，凹槽側(cè)壁粗糙度峰谷極差Rt＜100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于步驟二中所述的沉積法為磁控濺射方法或輝光放電等離子體方法。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于當(dāng)采用單質(zhì)金屬材料制作微小平面零件時，選擇磁控濺射方法進(jìn)行沉積。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于當(dāng)采用金屬化合物制作微小平面零件時，選擇反應(yīng)磁控濺射方法進(jìn)行沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于當(dāng)采用CH聚合物材料制作微小平面零件時，選擇輝光放電等離子體方法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微小平面零件的無切割自成型方法，其特征在于所述的微小平面零件選用化學(xué)活性質(zhì)活潑材料制作時，將微小平面零件制成三層結(jié)構(gòu)薄膜，上、下表面為防護(hù)層，中間為材料層；所述的化學(xué)活性質(zhì)活潑材料為鈾、鐠或钚。