[發明專利]適用于同軸結構高壓導體的工頻高電壓植入式測量裝置

有效

• 申請號: 201710174836.7
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN107102188B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 盧斌先;郭慶峰
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 張文寶

1.一種適用于同軸結構高壓導體的工頻高電壓植入式測量裝置，其具體結構為：在GIS外殼(4)和GIS導體(5)之間套上絕緣子(1)；在GIS高壓導體(5)靠近絕緣子(1)的地方切割出一圓孔，得到一導體切塊(3)，并在導體切塊(3)外周面套上絕緣環(2)，使其與GIS高壓導體(5)絕緣，之后嵌入到切割出的圓孔內；在導體切塊(3)內表面接一根導線引入屏蔽盒(8)中，該導線接到采樣電阻(6)一端；再從GIS導體(5)內表面引另一根導線接入屏蔽盒(8)中，并連接到采樣電阻(6)的另一端；將光纖發射裝置(7)并聯到采樣電阻(6)兩端，將光纖發射裝置(7)的光纖(9)穿過GIS高壓導體(5)和絕緣子(1)上的孔洞引出到GIS外殼(4)外面，將采樣電阻(6)的電壓信號通過光纖(9)導出。

2.根據權利要求1所述適用于同軸結構高壓導體的工頻高電壓植入式測量裝置，其特征在于，所述屏蔽盒內固定采樣電阻(6)和光纖發射裝置(7)；屏蔽盒(8)固定在GIS導體(5)內。