[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201710173582.7
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN108630660B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 鄧國貴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括器件區和標記區；

在所述器件區和標記區襯底上形成停止層；

在所述器件區和標記區停止層上形成阻擋層；

在所述器件區和標記區阻擋層上形成第一刻蝕層；

對所述器件區和標記區第一刻蝕層進行第一刻蝕，在所述器件區第一刻蝕層中形成第一開口，并在所述標記區第一刻蝕層中形成第一標記開口，所述第一標記開口在所述襯底表面的投影圖形為第一投影圖形；

對所述器件區和標記區第一刻蝕層進行第二刻蝕，在所述器件區第一刻蝕層中形成第二開口，并在所述標記區的阻擋層和第一刻蝕層中的一者或兩者中形成第二標記開口，所述第二標記開口在所述襯底表面的投影圖形為第二投影圖形；

在所述器件區和標記區第一刻蝕層上、第一開口中、第二開口中、第一標記開口中和第二標記開口中形成第二刻蝕層；

在所述第二刻蝕層上形成圖形化的光刻膠；

以所述圖形化的光刻膠為掩膜對所述第二刻蝕層進行第三刻蝕，在所述器件區第二刻蝕層中形成第三開口，并在所述標記區第二刻蝕層中形成第三標記開口，所述第三標記開口在所述襯底表面的投影圖形為第三投影圖形，所述第一投影圖形與第二投影圖形不重疊，或者所述第一投影圖形與第三投影圖形不重疊，或者所述第二投影圖形與所述第三投影圖形不重疊。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一開口和第一標記開口的步驟包括：在所述第一刻蝕層上形成圖形化的第一掩膜層；以所述第一掩膜層為掩膜對所述第一刻蝕層進行第一刻蝕；

形成所述第二開口和第二標記開口的步驟包括：在所述第一刻蝕層上形成圖形化的第二掩膜層；以所述第二掩膜層為掩膜對所述第一刻蝕層進行第二刻蝕。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一投影圖形與所述第二投影圖形不重疊，所述第二標記開口位于所述第一刻蝕層中，且所述第一刻蝕層暴露出所述阻擋層；

或者，所述第一投影圖形與所述第二投影圖形完全重疊，且第一投影圖形與所述第三投影圖形不重疊，所述第二標記開口位于所述第一標記開口底部的阻擋層中。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一投影圖形與所述第二投影圖形部分重疊，所述第一投影圖形與所述第二投影圖形的重疊部分為重疊圖形；所述第三投影圖形與所述重疊圖形不重疊。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二標記開口位于所述阻擋層和所述第一刻蝕層中。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一投影圖形、第二投影圖形和第三投影圖形分別為中心對稱圖形；所述第一投影圖形、第二投影圖形和第三標投影圖形的對稱中心重合。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一投影圖形為“十”字型，所述第二投影圖形包括多個“十”字型圖形，且多個“十”字型圖形呈中心對稱排列；所述第三投影圖形包括多個圓形，且多個圓形呈“十”字型分布。

8.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一投影圖形和第二投影圖形為“十”字型，所述第三投影圖形包括多個點陣圖形，所述點陣圖形包括多個圓形圖形，所述多個圓形圖形排列成十字型，多個點陣圖形呈中心對稱分布。

9.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一投影圖形為“十”字型，所述第二投影圖形為“十”字環形；所述第三投影圖形包括多個圓形，且多個圓形排列呈“十”字型。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述停止層為含有氮原子的化合物。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氧化硅；所述第一刻蝕層的材料為氮化鈦或氮化鉭。