[發(fā)明專利]一種降低剩余振幅調(diào)制的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710173451.9
• 申請(qǐng)日: 2017-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN107065234B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭耀輝;孫小聰;王雅君;彭堃墀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山西大學(xué)
• 主分類號(hào): G02F1/03
• 分類號(hào): G02F1/03;G02F1/00
• 代理公司: 北京東方盛凡知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11562
• 代理人: 宋平

1.一種降低剩余振幅調(diào)制的裝置，入射光平行于Y軸，外加電場(chǎng)的方向平行于d軸，調(diào)制光為出射光，出射光方向平行于Y軸，該裝置包括高頻信號(hào)源模塊，其特征在于，還包括一個(gè)三晶串聯(lián)的電光調(diào)制裝置，所述三晶串聯(lián)的電光調(diào)制裝置由三個(gè)晶體串聯(lián)，所述三個(gè)晶體分別為第一立方晶體、中間晶體和第二立方晶體；所述中間晶體為電光調(diào)制晶體，所述的中間晶體與所述高頻信號(hào)源模塊相連，所述中間晶體規(guī)格為4mm×40mm×3mm；所述第一立方晶體和第二立方晶體串聯(lián)在中間晶體的X軸方向兩端，所述第一立方晶體和第二立方晶體的相對(duì)介電常數(shù)與中間晶體的相對(duì)介電常數(shù)相等，所述第一立方晶體和第二立方晶體規(guī)格為1.5mm×40mm×3mm；

其中，d軸、X軸和Y軸相互垂直，所述第一立方晶體和所述第二立方晶體均與所述中間晶體貼合而直接接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低剩余振幅調(diào)制的裝置，其特征在于：所述中間晶體為鋰酸鈮晶體，所述第一立方晶體和第二立方晶體的相對(duì)介電常數(shù)為50。