[發(fā)明專利]經(jīng)由偏置的多端口噴射裝置的徑向和厚度控制有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710173292.2 | 申請日: | 2017-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN107227452B | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | J·瑪格蒂斯;J·托爾;G·巴特立特;N·巴爾加瓦 | 申請(專利權(quán))人: | ASMIP控股有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/34;C23C16/30;C23C16/24;C23C16/28;C30B25/14 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 丁曉峰 |
| 地址: | 荷蘭阿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 經(jīng)由 偏置 多端 噴射 裝置 徑向 厚度 控制 | ||
本發(fā)明涉及經(jīng)由偏置的多端口噴射裝置的徑向和厚度控制。本發(fā)明公開了氣體分布系統(tǒng),以便在交叉流動反應器中的襯底上獲得更好的膜均勻性。可以通過對氣體分布系統(tǒng)的單獨噴射端口的不對稱偏置實現(xiàn)更好的膜均勻性。氣體分布可以允許膜性質(zhì)的變化的可調(diào)性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于處理半導體襯底的反應系統(tǒng)。特定地,本發(fā)明涉及偏置氣體分布設備,其導致反應系統(tǒng)中的襯底的改進的膜均勻性。
背景技術(shù)
在交叉流動反應系統(tǒng)中,當氣體流過襯底的表面時可以發(fā)生膜的沉積。與襯底的邊緣相比,在襯底的中心,這些沉積過程可以導致更大的膜沉積。另外,與襯底的邊緣相比,在襯底的中心,膜的化學組成可以不同。
可以證明沉積膜的厚度和化學組成的不一致分布在半導體襯底的處理中是有問題的。由于不均勻的膜厚度和組成,該層可在晶片器件內(nèi)具有問題,導致在同一襯底上的器件性能(例如遷移率等)的不一致性。
因此,存在需要以改進膜均勻性的方式分布氣體的系統(tǒng)。
發(fā)明內(nèi)容
公開了用于執(zhí)行前體氣體噴射的不對稱偏置的方法。該方法包括:提供反應室,反應室保持待處理的襯底;提供第一多端口噴射器組件,第一多端口噴射器組件包括用于將第一氣體從第一氣體源提供到襯底的第一多個單獨端口噴射器;提供第二多端口噴射器組件,第二多端口噴射器組件包括用于將第二氣體從第二氣體源提供到襯底的第二多個單獨端口噴射器;利用第一多端口噴射器組件使第一氣體流動到襯底上,其中第一多端口噴射器組件具有不對稱偏置的第一多個單獨端口噴射器;以及利用第二多端口噴射器組件使第二氣體流動到襯底上,其中第二多端口噴射器組件具有不對稱偏置的第二多個單獨端口噴射器;其中實現(xiàn)了第一氣體和第二氣體在襯底各處的基本上均勻的分布;并且其中在襯底上第一氣體和第二氣體之間發(fā)生反應以形成第一膜。
為了總結(jié)本發(fā)明以及相對于現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)的優(yōu)點,在本文以上中已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些目的和優(yōu)點。當然,應當理解,根據(jù)本發(fā)明的任何具體實施例,不必要所有這樣的目的或優(yōu)點都可以實現(xiàn)。因此,例如,本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到,可以以實現(xiàn)或最優(yōu)化如本文教導或建議的一個優(yōu)點或一組優(yōu)點的方式來體現(xiàn)或?qū)嵭斜景l(fā)明,而不必實現(xiàn)如本文可以教導或建議的其他目的或優(yōu)點。
所有這些實施例旨在處于本文所公開的本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。從以下參考附圖的某些實施例的詳細描述中,這些和其他實施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將變得顯而易見,本發(fā)明不限于所公開的任何具體實施例。
附圖說明
下面參照某些實施例的附圖描述本文所公開的本發(fā)明的這些和其他特征、方面和優(yōu)點,其旨在說明而不是限制本發(fā)明。
專利或申請文件包含至少一張彩色附圖。具有彩色附圖的該專利或?qū)@暾埞_的副本將由專利局根據(jù)請求并支付必要的費用提供。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例的氣體噴射系統(tǒng)。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例的厚度的圖示。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的至少一個實施例的組成的圖示。
應當理解,圖中的元件是為了簡單和清楚而示出的,并且不一定按比例繪制。例如,圖中的一些元件的尺寸可以相對于其他元件放大,以幫助提高對本公開的所示實施例的理解。
具體實施方式
雖然下面公開了某些實施例和示例,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解,本發(fā)明延伸超出本發(fā)明的特定地公開的實施例和/或用途以及其明顯的修改和等同物。因此,其旨在所公開的本發(fā)明的保護范圍不應受到下面描述的具體公開的實施例的限制。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





