[發明專利]一種薄膜晶體管中的多晶硅薄膜、薄膜晶體管及制作方法

在審

• 申請號: 201710172988.3
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN106876478A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 劉軍;蘇同上
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種薄膜晶體管中的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成金屬層；

在所述金屬層上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成非晶硅膜層；

通過金屬原子對所述非晶硅膜層的催化作用，將所述非晶硅膜層轉化為多晶硅膜層，其中，所述金屬原子為所述金屬層擴散的、并與所述非晶硅膜層接觸的金屬原子。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，

在所述緩沖層上形成非晶硅膜層之前，所述制作方法還包括：采用第一退火工藝，在所述緩沖層上形成金屬擴散層，其中，所述金屬擴散層由所述金屬層的金屬原子擴散到所述緩沖層的上方形成；

所述通過金屬原子對所述非晶硅膜層的催化作用，將所述非晶硅膜層轉化為多晶硅膜層，具體包括：采用第二退火工藝，使所述非晶硅膜層通過所述金屬擴散層的催化作用轉化為多晶硅膜層。

3.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述金屬擴散層上形成非晶硅膜層，具體包括：

在金屬擴散層上形成非晶硅薄膜；

采用干法刻蝕，使所述非晶硅薄膜形成圖案化的非晶硅膜層，并同時去所述除緩沖層上第一區域以外其它區域的金屬擴散層，其中，所述第一區域在所述襯底基板上的垂直投影與所述非晶硅膜層的圖案在所述襯底基板上的垂直投影重疊。

4.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于，

所述在襯底基板上形成金屬層，具體包括：

在襯底基板上形成圖案化的金屬層，其中，所述金屬層的圖案在所述襯底基板上的垂直投影與所述非晶硅膜層的圖案在所述襯底基板上的垂直投影重疊。

5.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述通過金屬原子對所述非晶硅膜層的催化作用，將所述非晶硅膜層轉化為多晶硅膜層，具體包括：

采用第三退火工藝，使所述金屬擴散層的金屬原子擴散到所述非晶硅膜層，并同時使所述非晶硅膜層通過所述金屬原子的催化作用轉化為多晶硅膜層。

6.如權利要求2或5所述的制作方法，其特征在于，將所述非晶硅膜層轉化為多晶硅膜層之后，所述制作方法還包括，對所述多晶硅膜層的背向所述緩沖層一側的表面進行處理，以去除所述多晶硅膜層的背向所述緩沖層一側的部分薄膜。

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在襯底基板上形成金屬層之前，所述制作方法還包括：

在所述襯底基板上形成阻擋層。

8.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括如權利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法。

9.一種多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜包括：

設置在襯底基板上的金屬層；

設置在所述金屬層上的緩沖層；

設置在所述緩沖層上的多晶硅膜層，其中，所述多晶硅膜層由所述緩沖層上的非晶硅膜層通過金屬原子的催化作用轉化形成，所述金屬原子為所述金屬層擴散的、并與所述非晶硅膜層接觸的金屬原子。

10.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括如權利要求9所述的多晶硅薄膜。