[發明專利]一種制備Si定點取代非晶納米線陣列的方法

有效

• 申請號: 201710172870.0
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN107089663B
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 楊金虎;賀婷;張棪;劉光磊
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: C01B33/00
• 分類號: C01B33/00;C01B3/04
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 陳亮

1.一種制備Si定點取代Zn₂GeO₄非晶納米線陣列的方法，其特征在于，該方法采用以下步驟：

(1)將醋酸鋅、氧化鍺加入到水和乙二胺的混合溶劑中，所述的醋酸鋅和氧化鍺的質量比為1.0-2.0，水和乙二胺的體積比為1.0-2.0，醋酸鋅在混合溶劑中的濃度為0.03～0.05M；

(2)將步驟(1)得到的混合物經磁力攪拌得到均勻溶液，控制磁力攪拌速率為500～1000r/min，控制溫度為20～30℃，攪拌時間0.5-2h；

(3)將單晶Si片進行預處理，然后洗滌、干燥；

(4)在步驟(2)得到的均勻溶液中加入預處理好的單晶Si片，然后進行水熱反應，所述的水熱反應的溫度控制在120～180℃，反應時間為10～20h；

(5)將反應產物冷卻，洗滌、干燥，在Si片上得到最終產物。

2.根據權利要求1所述的一種制備Si定點取代Zn₂GeO₄非晶納米線陣列的方法，其特征在于，步驟(3)中單晶Si片進行預處理是依次用異丙醇、丙酮、乙醇超聲15-30min。

3.根據權利要求1所述的一種制備Si定點取代Zn₂GeO₄非晶納米線陣列的方法，其特征在于，步驟(3)中預處理的單晶Si片經丙酮、異丙醇、乙醇和去離子水進行洗滌、干燥。

4.根據權利要求1所述的一種制備Si定點取代Zn₂GeO₄非晶納米線陣列的方法，其特征在于，步驟(5)中的反應產物冷卻后采用乙醇和去離子水交替洗滌，然后真空干燥12～24h。