[發明專利]集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法

有效

• 申請號: 201710172468.2
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN106887393B
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 林章申;林正忠;何志宏;湯紅
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/77
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于，所述封裝結構包括用電芯片及連接于所述用電芯片下方的功率傳輸芯片；所述功率傳輸芯片用于將外部電源的電壓轉換成所述用電芯片所需的多個電壓，并提供多條對接所述用電芯片的供電軌道；所述封裝方法包括如下步驟：

提供一載體，并在所述載體上形成粘附層；

將所述功率傳輸芯片的有源元件與無源元件放置于所述粘附層上，其中，所述有源元件及無源元件具有焊盤的一面朝上；

在所述粘附層上形成覆蓋所述有源元件與無源元件的塑封層，并對所述塑封層進行研磨，以暴露出所述焊盤；

形成多個上下貫穿所述塑封層的通孔，并在所述通孔中填充導電材料，得到導電柱；

在所述塑封層上形成所述功率傳輸芯片的再布線層，所述再布線層包括介電層及形成于所述介電層中的至少一層金屬連線及至少一層導電栓；所述金屬連線通過所述導電栓實現與所述有源元件、無源元件的焊盤及導電柱的電連接，且當所述介電層中形成有多層金屬連線時，多層金屬連線之間通過所述導電栓實現層間電連接，并提供多條對接所述用電芯片的供電軌道；

通過多個第一凸塊結構將所述用電芯片與所述再布線層連接，實現所述用電芯片與多條所述供電軌道的對接；

去除所述載體及粘附層，暴露出所述導電柱下表面；

形成多個與所述導電柱連接的第二凸塊結構。

2.根據權利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于：所述外部電源的電壓高于所述用電芯片所需的電壓。

3.根據權利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于：所述有源元件包括控制器及降壓變換器；所述無源元件包括電容、電感和電阻。

4.根據權利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于：通過多個第一凸塊結構將所述用電芯片與所述再布線層連接之后，還包括通過底部填充膠填滿所述用電芯片底部與所述再 布線層之間間隙的步驟，以及通過塑封材料將所述用電芯片周圍包裹的步驟。

5.根據權利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于：所述第一凸塊結構包括微凸塊；所述第二凸塊結構包括球柵陣列焊球。

6.根據權利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于：所述用電芯片為專用集成電路。

7.根據權利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于：形成所述塑封層的方法包括壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓、旋涂中的任意一種或多種。

8.根據權利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括激光打孔、機械鉆孔、反應離子刻蝕、納米壓印中的任意一種或多種。

9.根據權利要求1所述的集成有功率傳輸芯片的封裝結構的封裝方法，其特征在于：形成所述導電柱的方法包括電鍍、化學鍍、絲印、引線鍵合中的一種或多種。