[發(fā)明專利]延長非易失性存儲器的使用壽命的系統(tǒng)、方法及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710172074.7 | 申請日: | 2017-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN107436847B | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李舒 | 申請(專利權(quán))人: | 阿里巴巴集團(tuán)控股有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京清源匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11644 | 代理人: | 馮德魁 |
| 地址: | 英屬開曼群島大開*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 延長 非易失性存儲器 使用壽命 系統(tǒng) 方法 計(jì)算機(jī) 程序 產(chǎn)品 | ||
1.一種用于延長非易失性存儲器的使用壽命的系統(tǒng),包括:
存儲有機(jī)器指令的存儲器;和
連接到所述存儲器的處理器,其執(zhí)行所述機(jī)器指令以將非易失性存儲器單元從第一配置重新配置為第二配置,所述第一配置存儲從由第一數(shù)量的狀態(tài)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)當(dāng)前狀態(tài),所述第二配置存儲從由第二數(shù)量的狀態(tài)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)當(dāng)前狀態(tài),其中,所述第一數(shù)量大于所述第二數(shù)量;
所述從第一配置重新配置為第二配置是指通過重新配置閃存單元的閾值電壓分布來重新配置多位存儲器單元,其中,所述第二配置包括:使用最小閾值電壓分布相對應(yīng)的最小電壓電平和最大閾值電壓分布相對應(yīng)的最大電壓電平對存儲器單元進(jìn)行編程;
其中,所述非易失性存儲器單元是指,實(shí)現(xiàn)NAND閃存或NOR閃存的固態(tài)驅(qū)動器的固態(tài)存儲裝置中的存儲單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于延長非易失性存儲器的使用壽命的系統(tǒng),其特征在于,所述處理器還執(zhí)行所述機(jī)器指令以將所述單元從所述第一配置重新配置為所述第二配置,所述第一配置存儲從由最小狀態(tài)、至少一個(gè)中間狀態(tài)和最大狀態(tài)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)當(dāng)前狀態(tài),所述第二配置存儲從由所述最小狀態(tài)和所述最大狀態(tài)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)當(dāng)前狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于延長非易失性存儲器的使用壽命的系統(tǒng),其特征在于,所述最小狀態(tài)對應(yīng)于最小閾值電壓分布,所述最大狀態(tài)對應(yīng)于最大閾值電壓分布,所述最小閾值電壓分布和所述最大閾值電壓分布對應(yīng)于從由多級單元NAND閃存或三級單元NAND閃存構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于延長非易失性存儲器的使用壽命的系統(tǒng),其特征在于,所述處理器還執(zhí)行所述機(jī)器指令以將所述非易失性存儲器單元登記為快閃轉(zhuǎn)換層中的重新配置單元,所述非易失性存儲器單元包括固態(tài)硬盤中的NAND閃存單元的塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于延長非易失性存儲器的使用壽命的系統(tǒng),其特征在于,所述處理器還執(zhí)行所述機(jī)器指令以將所述非易失性存儲器單元登記為快閃轉(zhuǎn)換層中的重新配置單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于延長非易失性存儲器的使用壽命的系統(tǒng),其特征在于,所述處理器還執(zhí)行所述機(jī)器指令以監(jiān)視與所述非易失性存儲器單元相關(guān)聯(lián)的狀況,并基于所述狀況選擇包括要繼續(xù)使用的非易失性存儲器單元的固態(tài)驅(qū)動器。
7.一種延長非易失性存儲器的使用壽命的方法,包括:
將非易失性存儲器單元從第一配置重新配置為第二配置,所述第一配置存儲從由第一數(shù)量的狀態(tài)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)當(dāng)前狀態(tài),所述第二配置存儲從由第二數(shù)量的狀態(tài)構(gòu)成的組中選擇的一個(gè)當(dāng)前狀態(tài),其中,所述第一數(shù)量大于所述第二數(shù)量;
所述從第一配置重新配置為第二配置是指通過重新配置閃存單元的閾值電壓分布來重新配置多位存儲器單元,其中,所述第二配置包括:使用最小閾值電壓分布相對應(yīng)的最小電壓電平和最大閾值電壓分布相對應(yīng)的最大電壓電平對存儲器單元進(jìn)行編程;
其中,所述非易失性存儲器單元是指,實(shí)現(xiàn)NAND閃存或NOR閃存的固態(tài)驅(qū)動器的固態(tài)存儲裝置中的存儲單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的延長非易失性存儲器的使用壽命的方法,其特征在于,在所述重新配置之前,大于第一預(yù)定電壓但小于第二預(yù)定電壓的與所述非易失性存儲器單元的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的閾值電壓讀數(shù)指示了第一中間狀態(tài),在所述重新配置之后,小于第二預(yù)定電壓的閾值電壓讀數(shù)指示了最小狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的延長非易失性存儲器的使用壽命的方法,其特征在于,在所述重新配置之前,大于第一預(yù)定電壓但小于第二預(yù)定電壓的與所述非易失性存儲器單元的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的閾值電壓讀數(shù)指示了第一中間狀態(tài),在所述重新配置之后,大于第一預(yù)定電壓的閾值電壓讀數(shù)指示了最大狀態(tài)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于阿里巴巴集團(tuán)控股有限公司,未經(jīng)阿里巴巴集團(tuán)控股有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710172074.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 處理器、存儲器、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、系統(tǒng)LSI及其驗(yàn)證方法
- 半導(dǎo)體器件和IC卡
- 安全的非易失性存儲器裝置以及對其中的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)的方法
- 非易失性存儲器數(shù)據(jù)寫入方法、存儲系統(tǒng)及其控制器
- 對系統(tǒng)進(jìn)行配置的方法、計(jì)算系統(tǒng)以及物品
- 非易失性存儲器接口
- 對存儲器設(shè)備中的非易失性存儲器和易失性存儲器進(jìn)行同時(shí)存取的技術(shù)
- 存儲裝置
- 控制非易失性存儲器器件的初始化的方法以及存儲器系統(tǒng)
- 非易失性存儲器的檢測方法及相關(guān)設(shè)備





