[發明專利]一種微流控高頻聲聚焦芯片及其制備方法有效
| 申請號： | 201710170689.6 | 申請日： | 2017-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN106914288B | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發明（設計）人： | 國世上;李思晢 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | B01L3/00 | 分類號： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 汪俊鋒 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 微流控 高頻 聚焦 芯片 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種微流控高頻聲聚焦芯片的制備方法，所述微流控高頻聲聚焦芯片結構，由聲波換能器、帶有波導和聚焦功能微結構的硅片，帶孔洞的PDMS有機高聚物組成；
所述的聲波換能器用于聲波信號的產生，由氧化鋅薄膜組成并與硅片下表面耦合，硅片下表面沉積鉑金屬薄膜作為氧化鋅換能器上表面的上電極，氧化鋅薄膜的下表面再次沉積鉑金屬薄膜作為氧化鋅薄膜的下電極；
所述的帶有波導和聚焦功能微結構的硅片，波導結構由45?硅鏡面和硅鏡面上的金薄膜組成，聚焦功能微結構由半圓柱-垂直反射壁凹槽和凹槽兩端的用于進出樣的微溝道組成；
所述的PDMS有機高聚物封裝在硅片表面上，PDMS有機高聚物上有兩個孔口作為樣品的進出樣口，并分別連通于硅片上的微溝道的端口；
其特征在于由下述步驟所構成：
1）利用濕法刻蝕方法在硅片上形成45?硅鏡面；
2）利用磁控濺射方法在45?硅鏡面上沉積金薄膜；
3）利用深度反應離子刻蝕法在硅片上部制備聚焦功能的半圓柱-垂直反射壁凹槽和微溝道；
4）在硅片下表面用熱蒸鍍法沉積鉑金屬薄膜作為聲波換能器的上電極；
5）用磁控濺射方法在硅片下表面的鉑薄膜上沉積氧化鋅薄膜作為聲波換能器；
6）用熱蒸鍍法沉積鉑金屬薄膜在氧化鋅薄膜下表面作為換能器的下電極；
7）在有機高分子聚合物PDMS上打孔形成樣品的進出樣孔位，并將其鍵合到有微結構的硅片上表面，同時孔口的位置對應硅片上微溝道的兩端。
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