[發明專利]電子部件及用于制造電子部件的方法和裝置

有效

• 申請號: 201710169663.X
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN107221515B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: E·菲爾古特;S·K·穆魯甘;N·J·桑托斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L33/54;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新;蔡洪貴

1.一種電子部件(100)，所述電子部件(100)包括：

·導電載體(102)；

·在所述載體(102)之上的電子芯片(104)；

·包封材料(106)，所述包封材料(106)包封所述載體(102)和所述電子芯片(104)中的至少一個的至少一部分；

·覆蓋所述包封材料(106)的表面部分的功能結構(108)；

·在所述包封材料(106)的被所述功能結構(108)覆蓋的表面部分中形成的間斷部(120)；

·其中，所述包封材料(106)的被覆蓋的表面部分中的至少一部分在空間上選擇性地被粗糙化。

2.根據權利要求1所述的電子部件(100)，其中，所述包封材料(106)的被粗糙化的表面(130)具有均勻的粗糙度分布。

3.根據權利要求1或2所述的電子部件(100)，其中，所述包封材料(106)的被粗糙化的表面(130)具有至少1μm的粗糙度。

4.根據權利要求3所述的電子部件(100)，其中，所述粗糙度在1μm至10μm的范圍內。

5.根據權利要求4所述的電子部件(100)，其中，所述粗糙度在2μm至4μm的范圍內。

6.根據權利要求1至2、4至5中任一項所述的電子部件(100)，其中，所述包封材料(106)的被粗糙化的表面(130)形成在所述間斷部(120)內。

7.根據權利要求1至2、4至5中任一項所述的電子部件(100)，其中，所述間斷部(120)被形成為位于所述包封材料(106)的被所述功能結構(108)覆蓋的表面部分中的環形凹陷。

8.根據權利要求7所述的電子部件(100)，其中，所述包封材料(106)的被粗糙化的表面(130)選擇性地僅鄰近所述間斷部(120)的至少一部分。

9.根據權利要求8所述的電子部件(100)，其中，所述包封材料(106)的被粗糙化的表面(130)圍繞所述間斷部(120)的至少一部分。

10.根據權利要求1至2、4至5、8至9中任一項所述的電子部件(100)，其中，所述包封材料(106)的被粗糙化的表面(130)與所述包封材料(106)的被所述功能結構覆蓋的其余表面處的另一較低粗糙度相比具有局部有限的更高粗糙度。

11.根據權利要求1至2、4至5、8至9中任一項所述的電子部件(100)，其中，所述功能結構(108)是電絕緣且導熱的接合結構。

12.根據權利要求11所述的電子部件(100)，其中，所述電子部件(100)還包括附接至或將附接至所述接合結構(108)的散熱體(112)，以用于消散在所述電子部件(100)的運行期間由所述電子芯片(104)生成的熱。

13.根據權利要求1至2、4至5、8至9、12中任一項所述的電子部件(100)，其中，所述電子芯片(104)被配置為以下組中的至少一種：

·功率半導體芯片(104)；和

·具有豎直電流的電子芯片(104)。

14.根據權利要求1至2、4至5、8至9、12中任一項所述的電子部件(100)，其中，所述功能結構(108)是透光結構。

15.根據權利要求1至2、4至5、8至9、12中任一項所述的電子部件(100)，其中，所述功能結構(108)是磁性結構。

16.根據權利要求15所述的電子部件(100)，其中，所述磁性結構是永磁結構。