[發明專利]電介質膜和電子部件有效
| 申請號： | 201710169473.8 | 申請日： | 2017-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN107221430B | 公開（公告）日： | 2019-12-06 |
| 發明（設計）人： | 內山弘基;政岡雷太郎;藤井祥平;城川真生子 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;C04B35/495;H01B3/12 |
| 代理公司： | 11322 北京尚誠知識產權代理有限公司 | 代理人： | 楊琦;沈央<國際申請>=<國際公布>=< |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電介質 電子 部件 | ||
【權利要求書】：
1.一種電介質膜，其特征在于，
所述電介質膜以具有NaCl型晶體結構的堿土金屬氧化物為主成分，
所述電介質膜在法線方向具有(111)取向的柱狀結構，
對于電介質膜，進行利用X射線衍射的平行法的測定，作為X射線源使用Cu-Kα射線，測定條件設定為電壓45kV、200mA、2θ＝20°～80°的范圍，比較得到的衍射圖案中(111)的峰與(200)的峰的強度比，對于該比，(111)的峰強度/(200)的峰強度顯示1.5以上的情況定義為(111)取向，在所述電介質膜的Cu-KαX射線衍射圖中，(111)的衍射峰的半峰寬為0.3°～2.0°。
2.如權利要求1所述的電介質膜，其特征在于，
所述電介質膜含有Ta、Nb、V、Hf、Zr、Ti、Zn中的至少一種元素作為副成分。
3.如權利要求2所述的電介質膜，其特征在于，
如果將所述副成分的總含量記為x，則所述x相對于所述主成分為0mol％<x≤20mol％的范圍。
4.一種電子部件，其特征在于，
具有權利要求1～3中任一項所述的電介質膜。
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