[發明專利]電介質薄膜和電子部件有效
| 申請號： | 201710169275.1 | 申請日： | 2017-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN107221429B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發明（設計）人： | 城川真生子;政岡雷太郎;內山弘基;藤井祥平 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/10 | 分類號： | H01G4/10;H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 楊琦;沈央 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電介質 薄膜 電子 部件 | ||
【權利要求書】：
1.一種電介質薄膜，其特征在于，
所述電介質薄膜以MgO為主成分，
所述電介質薄膜由含有分別至少1個以上的由單晶構成的柱狀結構A和由多晶構成的柱狀結構B的柱狀結構群構成，
在將所述電介質薄膜的垂直方向的截面中所述柱狀結構A所占的面積記為CA，并且將所述柱狀結構B所占的面積記為CB的情況下，所述CA與CB的關系為0.4≤CB/CA≤1.1，
所述柱狀結構為在電介質薄膜整體上沿著基板表面的法線方向或±5°延伸，并且縱橫比h/l滿足17<(h/l)<40的結構。
2.如權利要求1所述的電介質薄膜，其特征在于，
所述柱狀結構B至少存在2個以上，并且是具備至少1個以上的柱狀結構B+的柱狀結構，其中，所述柱狀結構B+具有1個以上的三叉晶界，
所述柱狀結構B+為柱狀結構B所占的面積CB的50％以上。
3.一種電子部件，其特征在于，
具有權利要求1或2所述的電介質薄膜。
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