[發明專利]鐵皮石斛的高產種植方法

在審

• 申請號: 201710168465.1
• 申請日: 2017-03-21
• 公開（公告）號: CN107079679A
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 農凱峰
• 申請（專利權）人: 農凱峰
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00;A01G9/14;A01G9/22
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)11369
• 代理人: 靳浩

1.一種鐵皮石斛的高產種植方法，其特征在于，包括：

步驟一、提供一溫室大棚環境，于溫室大棚內進行鐵皮石斛的種植，所述溫室大棚內被劃分為多個種植區域，每個種植區域內均設置有一罩部，所述罩部包括一設置于地面上的升降機構和設置于所述升降機構頂端的罩體，所述罩體采用不透光材料，所述罩體在所述升降機構的驅動下罩住其所在的種植區域，所述溫室大棚外壁的中央部位處還設置有遮光部，所述遮光部包括設置于所述溫室大棚外壁中央的卷動軸、纏繞于所述卷動軸上的黑色遮光布和驅動所述卷動軸旋轉地驅動機構，所述驅動機構設置于所述溫室大棚旁；

步驟二、按照如下重量份數取原料制成鐵皮石斛的培養基質，取黑土40～60份、松樹皮15～25份、馬鈴薯3～10份、砂石5～10份、花生殼10～20份、大蒜3～10份和蝙蝠糞3～20份，于溫度120～125℃下滅菌20～30min，之后發酵10～20天，然后加入蛭石40～50份，混勻，得到培養基質；

步驟三、首先于所述溫室大棚內鋪設10～20cm的所述培養基質，并將鐵皮石斛種子播種于所述培養基質中，于光照溫度22～28℃、黑暗溫度20～22℃，光周期8～16小時/日，光照度800～2000lx和濕度50～70％條件下培養1年，得到鐵皮石斛小苗；

步驟四、于所述溫室大棚內鋪設30～40cm的所述培養基質，之后將所述鐵皮石斛小苗移栽至該30～40cm的所述培養基質中，于溫度18～24℃、黑暗溫度15～18℃，光周期10～12小時/日，光照度1800～2000lx和濕度40～60％條件下培養1～2年年，得到鐵皮石斛。

2.如權利要求1所述的鐵皮石斛的高產種植方法，其特征在于，所述步驟二中，取黑土50份、松樹皮20份、馬鈴薯7份、砂石8份、花生殼15份、大蒜7份和蝙蝠糞12份，于溫度121℃下滅菌25min，之后發酵15天，然后加入蛭石45份，混勻，得到所述培養基質。

3.如權利要求1所述的鐵皮石斛的高產種植方法，其特征在于，所述步驟三中，鋪設的所述培養基質的厚度為15cm。

4.如權利要求1所述的鐵皮石斛的高產種植方法，其特征在于，所述步驟三中，于光照溫度25℃、黑暗溫度21℃，光周期12小時/日，光照度1400lx和濕度60％條件下培養1年，得到鐵皮石斛小苗。

5.如權利要求1所述的鐵皮石斛的高產種植方法，其特征在于，所述步驟四中，于所述溫室大棚內鋪設35cm的所述培養基質。

6.如權利要求1所述的鐵皮石斛的高產種植方法，其特征在于，所述步驟四中，將所述鐵皮石斛小苗移栽至該35cm的所述培養基質中，于溫度21℃、黑暗溫度16℃，光周期11小時/日，光照度1900lx和濕度50％條件下培養1.5年，得到鐵皮石斛。