[發明專利]一種旱作農業區生物全降解材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201710167015.0
• 申請日: 2017-03-20
• 公開（公告）號: CN106982683A
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 秦文生;陸海榮;秦體文;尹長宏;孫智剛
• 申請（專利權）人: 蘭州鑫銀環橡塑制品有限公司
• 主分類號: A01G13/02
• 分類號: A01G13/02;B32B27/08;B32B27/32;B32B27/36;C08L23/06;C08L23/08;C08K13/02;C08K5/098;C08K3/26;C08K3/38;C08L67/04;C08K3/36;C08K5/544
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司11514
• 代理人: 安娜

1.一種降解材料，其特征在于，所述降解材料采用雙層膜結構，包括第一層膜和第二層膜，且所述第一層膜的降解時間大于所述第二層膜的降解時間；

其中，所述第一層膜的原料組分按重量份計，包括：硬脂酸鐠0.03-0.05重量份、水滑石粉0.10-0.30重量份、正辛基二茂鐵和/或正辛酰基二茂鐵0.05-0.10重量份、硬脂酸鍶0.10-0.50重量份、電氣石粉0.50-0.90重量份、間苯二酚單苯甲酸酯0.10-0.30重量份、4-羥甲基-2，6-二叔丁基苯酚0.05-0.20重量份、高密度聚乙烯30-50重量份、低密度聚乙烯10-20重量份和線性低密度聚乙烯20-30重量份；

所述第二層膜的原料組分按重量份計，包括：聚乳酸30-70重量份、納米二氧化硅1-10重量份、3-氨丙基三乙氧基硅烷1-5重量份、硬脂酸鑭0.05-0.20重量份、低密度聚乙烯5-10重量份以及線性低密度聚乙烯4.8-30重量份。

2.根據權利要求1所述的降解材料，其特征在于：

所述高密度聚乙烯的熔融指數為0.1-10.0g/10min，所述低密度聚乙烯的熔融指數為0.5-5.0g/10min，所述線性低密度聚乙烯的熔融指數為1.5-2.5g/10min。

3.根據權利要求1所述的降解材料，其特征在于：

所述納米二氧化硅的粒徑為20nm-200nm，所述聚乳酸的熔融指數為15-30g/10min。

4.根據權利要求1所述的降解材料，其特征在于：

所述高密度聚乙烯選用6070、5502、TR144和CH2802中的一種或多種；

所述低密度聚乙烯選用LD662、2012TN26、2426H、2436H和LD600中的一種或多種；

所述線性低密度聚乙烯選用7042、7042T、9020、7042N、7042K、218W、0218D、9042和FV149M中的一種或多種；

所述聚乳酸選用6201D、4032D和3251D中的一種或多種。

5.根據權利要求1-4任一項所述的降解材料，其特征在于：

所述第一層膜的厚度為2-4μm，所述第二層膜的厚度為4-8μm。

6.根據權利要求5所述的降解材料，其特征在于：

所述第一層膜的原料組分按重量份計，包括：硬脂酸鐠0.03重量份、水滑石粉0.20重量份、正辛基二茂鐵0.04重量份、正辛酰基二茂鐵0.04重量份、硬脂酸鍶0.30重量份、電氣石粉0.60重量份、間苯二酚單苯甲酸酯0.10重量份、4-羥甲基-2，6-二叔丁基苯酚0.15重量份、高密度聚乙烯35重量份、低密度聚乙烯15重量份和線性低密度聚乙烯20重量份；

所述第二層膜的原料組分按重量份計，包括：聚乳酸50重量份、納米二氧化硅5重量份、3-氨丙基三乙氧基硅烷3重量份、硬脂酸鑭0.10重量份、低密度聚乙烯8重量份以及線性低密度聚乙烯30重量份；

其中，所述第一層膜的厚度為4μm，第二層膜的厚度為4μm；所述高密度聚乙烯選用6070，所述低密度聚乙烯選用等重量份的LD662和2436H，所述線性低密度聚乙烯選用7042T，所述聚乳酸選用6201D。

7.權利要求1-6任一項所述的降解材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S101：將第一層膜中的各原料組分混合均勻后造粒，得到第一層膜降解塑料顆粒；

S102：將第二層膜中的各原料組分混合均勻后造粒，得到第二層膜降解塑料顆粒；

S103：將所述第一層膜降解塑料顆粒和所述第二層膜降解塑料顆粒進行共擠吹塑。

8.權利要求7所述的降解材料的制備方法，其特征在于：

所述S101和所述S102中，將各原料組分采用球磨的方式混合均勻，且所述球磨的條件具體為：轉速為400-500rpm，時間為250min-350min；

所述S101和所述S102中，所述造粒均在雙螺桿造粒機中進行，且所述雙螺桿造粒機的條件具體為：螺桿長徑比L/D為30-50，所述雙螺桿造粒機的機頭溫度為135℃-140℃，一區溫度為150℃-155℃，二區溫度為158℃-163℃，三區溫度為165℃-169℃，四區溫度為170℃-173℃，五區溫度為175℃-180℃。