[發明專利]半導體圓片級封裝方法及封裝用刀具有效
| 申請號: | 201710166719.6 | 申請日: | 2017-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN107093579B | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 石磊 | 申請(專利權)人: | 通富微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/304;H01L23/544;B28D5/04 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 226000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 圓片級 封裝 方法 刀具 | ||
1.一種半導體圓片級封裝方法,其特征在于,包括:
提供半導體圓片,所述圓片設有若干矩陣排列的芯片,所述芯片之間設有劃片槽;所述圓片包括正面及背面,所述芯片的正面即所述圓片的正面,所述芯片的背面即所述圓片的背面;
使用刀片端部具有凸肋的刀片對所述圓片的劃片槽底部進行第一次切割以形成凹槽,所述凸肋在所述凹槽底部形成對準標識,所述對準標識與所述凹槽側壁間隔設置;
對準所述對準標識對所述圓片進行第二次切割,以分裂所述圓片;
其中,所述刀片的所述刀片端部為“凸”字型結構,所述刀片的刀片端部的線槽中每個角的角度均為90°,所述刀片在所述圓片上切割形成的所述凹槽的中部為一凹陷結構,所述對準標識為所述凹陷結構的兩條側壁。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述對準所述對準標識對所述圓片進行第二次切割之前包括:
在所述圓片的正面形成塑封層,所述塑封層填充所述凹槽;
研磨所述圓片的背面直至暴露出所述凹陷結構內填充的所述塑封層。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,
所述對準所述對準標識對所述圓片進行第二次切割之前包括:在研磨后的所述圓片的背面形成背膠層。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,
所述對準所述對準標識對所述圓片進行第二次切割包括:從所述圓片的正面對準所述對準標識進行切割,直至切割掉所述對準標識邊界內的所述背膠層。
5.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,
所述對準所述對準標識對所述圓片進行第二次切割包括:從所述圓片的背面對準所述對準標識進行切割,直至切割掉所述對準標識邊界內的所述塑封層。
6.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述圓片的正面形成塑封層之前包括:
提供所述芯片,所述芯片表面設有焊盤;
在所述焊盤表面形成種子層;
在所述種子層表面形成掩膜層,并在所述掩膜層對應所述焊盤的位置設置開口;
在所述開口內形成金屬端子;
去除所述掩膜層以及所述金屬端子以外的所述種子層。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,
所述在所述圓片的正面形成塑封層包括:在所述圓片的正面形成塑封層,并使所述塑封層覆蓋所述金屬端子。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述圓片的正面形成塑封層之后包括:
研磨所述塑封層以使所述金屬端子表面裸露;在所述金屬端子表面設置焊球或形成焊接層。
9.一種半導體圓片級封裝用刀具,其特征在于,包括:
刀片,所述刀片的端部設有用于在所述圓片的劃片槽底部形成對準標識的留痕部,所述留痕部與所述刀片的端部兩對側間隔設置;
其中,所述留痕部為凸肋,所述刀片的刀片端部的線槽中每個角的角度均為90°。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





