[發明專利]雙側冷卻集成功率裝置封裝和模塊及其制造方法

在審

• 申請號: 201710166570.1
• 申請日: 2008-07-21
• 公開（公告）號: CN107068641A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 喬納森·A·諾奎爾;魯賓·馬德里
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/36
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 林彥

1.一種集成功率裝置模塊，其包括：

平面引線框架，其具有第一和第二分隔墊以及位于所述第一與第二分隔墊之間的一個或一個以上共同源極-漏極引線；

第一和第二晶體管，每個具有源極電極，柵極電極和漏極電極，其分別以倒裝芯片形式附接到所述第一和第二分隔墊，其中所述第二晶體管的源極電極電連接到所述一個或一個以上共同源極-漏極引線；以及

第一線夾，其具有平面部件和多個向下延伸的引線，所述引線附接到所述第一晶體管的漏極電極且電連接到所述一個或一個以上共同源極-漏極引線；

其中所述平面引線框架，所述第一和第二晶體管和所述第一線夾部分地包封在模制材料中，其中所述第一和第二分隔墊的每個的底部表面和所述第一線夾的所述平面部件的一部分被暴露以提供所述模塊的雙側冷卻。

2.根據權利要求1所述的模塊，其中所述第一和第二晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管。

3.根據權利要求1所述的模塊，其中所述第一和第二晶體管分別是高側和低側功率晶體管，其為降壓轉換器的組件。

4.根據權利要求1所述的模塊，其中所述平面引線框架包含位于所述第二分隔墊的外側上的一個或一個以上漏極引線，且所述模塊包含附接到所述第二晶體管的漏極且電連接到位于所述第二分隔墊的外側上的所述一個或一個以上漏極引線的第二線夾。

5.根據權利要求1所述的模塊，其中所述平面引線框架、所述第一和第二晶體管和所述第一線夾部分地包封在模制材料中，其中所述平面引線框架的所述第一和第二分隔墊和所述第一線夾被暴露以提供所述模塊的雙側冷卻。

6.一種集成功率裝置模塊，其包括：

平面引線框架，其具有第一和第二分隔墊、位于所述第一與第二分隔墊之間的一個或一個以上共同源極-漏極引線以及位于所述第二分隔墊的外側上的一個或一個以上漏極引線；

第一和第二晶體管，其分別以倒裝芯片形式附接到所述第一和第二分隔墊的頂部表面，其中所述第二晶體管的源極電連接到所述一個或一個以上共同源極-漏極引線；

第一線夾，其具有平面部件和多個向下延伸的引線，所述引線附接到所述第一晶體管的所述漏極且電連接到所述一個或一個以上共同源極-漏極引線；

第二線夾，其附接到所述第二晶體管的漏極且電連接到位于所述第二分隔墊的外側上的所述一個或一個以上漏極引線；以及

模制材料，其部分地包封所述平面引線框架、所述第一和第二晶體管和所述第一和第二線夾以形成所述模塊，其中所述第一和第二分隔墊的每個的所述底部表面和所述第一線夾的所述平面部件的一部分被暴露以提供所述模塊的雙側冷卻。

7.根據權利要求6所述的模塊，其中所述第一和第二晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管。

8.根據權利要求6所述的模塊，其中所述第一和第二晶體管分別是高側和低側功率晶體管，其為降壓轉換器的組件。

9.根據權利要求6所述的模塊，其中所述一個或一個以上共同源極-漏極引線經配置以被切割，使得可形成兩個個別單一晶體管封裝。

10.根據權利要求6所述的模塊，其中所述平面引線框架具有位于所述第一與第二分隔墊之間的柵極引線，且其中所述第一線夾未電附接到所述柵極引線。

11.根據權利要求6所述的模塊，其中所述第二線夾具有平面部件和多個向下延伸的引線，所述引線電連接到所述平面引線框架的位于所述第二分隔墊的外側上的所述一個或一個以上漏極引線。

12.根據權利要求11所述的模塊，其中所述平面引線框架具有位于所述第一與第二分隔墊之間的柵極引線，且其中所述第一線夾不具有將要電連接到所述柵極引線的向下延伸的引線。

13.根據權利要求6所述的模塊，其中所述平面引線框架經配置以具有帶引線的占地面積，其可通過切除所述模塊的引線部分而轉換為無引線的模塊。

14.根據權利要求6所述的模塊，其中所述共同源極漏極引線被部分切斷以斷開所述連接，且其中共同散熱片附接到所述第一和第二線夾并連接所述第一和第二線夾。

15.根據權利要求6所述的模塊，其包含附接到所述平面引線框架并電連接到所述第一和第二晶體管的集成電路，所述集成電路由所述模制材料包封以形成單一模塊。