[發明專利]一種發光二極管的芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 201710166253.X
• 申請日: 2017-03-20
• 公開（公告）號: CN107154451A
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 蘭葉;顧小云;黃龍杰;楊春艷;吳志浩;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/60
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管的芯片，所述芯片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層、P型氮化鎵層、電流阻擋層和透明導電層，所述芯片上設有從所述透明導電層延伸至所述N型氮化鎵層的凹槽；所述芯片還包括N型電極、P型電極和鈍化層，所述N型電極設置在所述凹槽內的所述N型氮化鎵層上，所述鈍化層設置在所述透明導電層、所述凹槽的側壁和所述凹槽內的所述N型氮化鎵層上；所述P型電極包括底面設置在所述P型氮化鎵層和透明導電層上的圓柱體和至少一個底面設置在所述透明導電層上的條形體，所述條形體由所述圓柱體的側面向外延伸，所述圓柱體和所述條形體均包括依次層疊的歐姆接觸層、反光層和焊料層，其特征在于，所述反光層的材料采用鋁硅銅合金，所述鋁硅銅合金中硅的質量分數為1％～2％，所述鋁硅銅合金中銅的質量分數為0.5％～1％。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述焊料層包括依次層疊的至少兩個子層，所述至少兩個子層中距離所述反光層最遠的所述子層的材料采用鋁硅銅合金。

3.根據權利要求2所述的芯片，其特征在于，所述至少兩個子層中距離所述反光層最遠的所述子層的厚度為10000～20000埃。

4.根據權利要求1～3任一項所述的芯片，其特征在于，所述反光層的厚度為500～3000埃。

5.一種發光二極管的芯片的制備方法，所述制備方法包括：

在襯底上依次生長氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層、P型氮化鎵層；

開設從所述P型氮化鎵層延伸至所述N型氮化鎵層的凹槽；

在所述P型氮化鎵層上形成電流阻擋層和透明導電層；

在所述P型氮化鎵層和所述透明導電層上設置P型電極，在所述凹槽內的所述N型氮化鎵層上設置N型電極，所述P型電極包括底面設置在所述P型氮化鎵層和透明導電層上的圓柱體和至少一個底面設置在所述透明導電層上的條形體，所述條形體由所述圓柱體的側面向外延伸；

在所述透明導電層、所述凹槽的側壁、所述凹槽內的所述N型氮化鎵層上形成鈍化層；

其特征在于，所述在所述P型氮化鎵層和所述透明導電層上設置P型電極，在所述凹槽內的所述N型氮化鎵層上設置N型電極，包括：

依次形成歐姆接觸層、反光層和焊料層，所述反光層的材料采用鋁硅銅合金，所述鋁硅銅合金中硅的質量分數為1％～2％，所述鋁硅銅合金中銅的質量分數為0.5％～1％。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述依次形成歐姆接觸層、反光層和焊料層，包括：

依次采用濺射技術形成歐姆接觸層、反光層和焊料層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述依次采用濺射技術形成歐姆接觸層、反光層和焊料層，包括：

將未形成所述P型電極和所述N型電極的芯片放置在磁控濺射設備內的腔體中，所述芯片與靶材的距離為3～10cm；

控制所述腔體的真空度為0.05～0.5KPa，利用氬離子轟擊所述靶材，所述靶材濺射到所述芯片上，形成歐姆接觸層、反光層或者焊料層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述芯片與靶材的距離為6cm。

9.根據權利要求5～8任一項所述的制備方法，其特征在于，所述焊料層包括依次層疊的至少兩個子層，所述至少兩個子層中距離所述反光層最遠的所述子層的材料采用鋁硅銅合金。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述至少兩個子層中距離所述反光層最遠的所述子層的厚度為10000～20000埃。