[發(fā)明專利]一種透明超疏水表面的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710166213.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108623188A | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 洛陽尖端技術(shù)研究院;洛陽尖端裝備技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C03C17/42 | 分類號(hào): | C03C17/42;C03C17/30;C03C23/00 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;盧軍峰 |
| 地址: | 471000 河南省洛陽市*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 中空二氧化硅顆粒 聚二甲基硅氧烷 超疏水表 配制 玻璃基材表面 分散液涂布 高濕度環(huán)境 駕駛安全性 擋風(fēng)玻璃 高透明度 航天器件 疏水玻璃 透明 分散液 雨天 污染物 視線 清晰 飛機(jī) 污染 汽車 應(yīng)用 | ||
1.一種透明超疏水表面的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
a)配制聚二甲基硅氧烷(PDMS)溶液;
b)配制中空二氧化硅顆粒分散液;以及
c)將所述聚二甲基硅氧烷溶液和所述中空二氧化硅顆粒分散液涂布于玻璃基材表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其中,在步驟b)和步驟c)之間還包括步驟d),所述步驟d)包括:對(duì)所述玻璃基材進(jìn)行羥基化處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其中,所述步驟a)進(jìn)一步包括:
按照質(zhì)量比10:1的比例將聚二甲基硅氧烷預(yù)聚體和固化劑溶解于溶劑中,以配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1-3%的所述聚二甲基硅氧烷(PDMS)溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其中,所述步驟b)進(jìn)一步包括:
將粒徑為45-55nm和/或250-350nm的中空二氧化硅顆粒分散于溶劑中以配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-5%的所述中空二氧化硅顆粒分散液。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其中,所述步驟b)進(jìn)一步包括:
將粒徑為50nm和/或300nm的中空二氧化硅顆粒分散于溶劑中以配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-5%的所述中空二氧化硅顆粒分散液。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的制備方法,其中,所述溶劑為四氫呋喃。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其中,所述固化劑為硅酸四乙酯。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其中,所述步驟d)進(jìn)一步包括:
采用氧等離子刻蝕機(jī)對(duì)所述玻璃基材進(jìn)行羥基化處理,其中,刻蝕功率35-45W,刻蝕時(shí)間2-8min。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其中,所述步驟d)進(jìn)一步包括:
采用氧等離子刻蝕機(jī)對(duì)所述玻璃基材進(jìn)行羥基化處理,其中,刻蝕功率40W,刻蝕時(shí)間5min。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-3、7-9中任一項(xiàng)所述的制備方法,其中,所述步驟b)進(jìn)一步包括:
將粒徑為45-55nm和/或250-350nm的中空二氧化硅顆粒分散于所述步驟a)制備得到的溶液中,超聲混勻,以配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-5%的二氧化硅顆粒/聚二甲基硅氧烷共混液;以及
所述步驟c)進(jìn)一步包括:將含有所述聚二甲基硅氧烷溶液和所述二氧化硅顆粒/聚二甲基硅氧烷共混液涂布于玻璃基材表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其中,在所述步驟c)中,利用噴槍將將所述聚二甲基硅氧烷溶液和所述中空二氧化硅顆粒分散液噴涂于玻璃基材表面,噴槍頭與玻璃基材表面的距離為8-25cm,壓力為0.3-0.5MPa,噴涂后,將所述玻璃基材放置于120-180℃的烘箱中,焙烘25-35min。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其中,在所述步驟c)中,利用噴槍將將所述聚二甲基硅氧烷溶液和所述中空二氧化硅顆粒分散液噴涂于玻璃基材表面,噴槍頭與玻璃基材表面的距離為10cm,壓力為0.4MPa,噴涂后,將所述玻璃基材放置于150℃的烘箱中,焙烘30min。
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