[發明專利]用于制造裝置的方法和設備有效
| 申請號： | 201710165989.5 | 申請日： | 2013-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN107354428B | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發明（設計）人： | 朱明偉;奈格·B·帕蒂班德拉;汪榮軍;維韋卡·阿格拉沃爾;阿納塔·蘇比瑪尼;丹尼爾·L·迪爾;唐先明 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 制造 裝置 方法 設備 | ||
1.一種用于制造裝置的方法，所述方法包括：
將一或更多個基板定位在第一處理腔室中，所述第一處理腔室具有一或更多個側壁，所述側壁界定處理區域；
在所述第一處理腔室中在所述一或更多個基板上形成氮化鋁層，其中形成所述氮化鋁層包括：
偏壓靶材，所述靶材具有和所述處理區域接觸的表面，其中所述靶材包含鋁；
偏壓電極以在所述一或更多個基板上形成電勢，所述一或更多個基板設置在基板支撐件之上；
將第一氣體流入所述處理區域，所述第一氣體包含氮；和
將第二氣體流入所述處理區域，其中所述第二氣體包含氬氣、氪氣或氖氣，
其中偏壓所述靶材經配置以促進在所述一或更多個基板上所形成的氮化鋁層的鋁面生長，并且
其中偏壓所述電極包括在所述一或更多個基板上產生浮動電勢，所述浮動電勢自-300伏特與-1伏特之間變化。
2.根據權利要求1所述的方法，其中偏壓電極的步驟包括在偏壓所述靶材之前，偏壓所述電極達1秒至15分鐘的第一時段之久。
3.根據權利要求1所述的方法，其中偏壓所述靶材包括輸送功率在0.125w/cm2與20w/cm2之間的脈沖直流電信號或射頻信號。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述靶材進一步包括鋁和II族、IV族或VI族元素。
5.根據權利要求1所述的方法，其中偏壓所述電極包括在偏壓所述靶材的同時在所述一或更多個基板上產生浮動電勢。
6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：
將所述一或更多個基板從所述第一處理腔室移送至第二處理腔室；和
在所述第二處理腔室中在所述氮化鋁層上形成III族氮化物層，其中形成所述III族氮化物層的步驟包括：
向所述一或更多個基板中每一者的表面輸送含金屬的前驅物和含氮的氣體。
7.一種用于制造裝置的方法，所述方法包括：
將一或更多個基板定位在第一處理腔室中，所述第一處理腔室具有一或更多個側壁，所述側壁界定處理區域；和
在所述第一處理腔室中在所述一或更多個基板上形成氮化鋁層，其中形成所述氮化鋁層包括：
偏壓靶材，所述靶材具有和所述處理區域接觸的表面，其中所述靶材包含鋁；
偏壓電極以在所述一或更多個基板上形成電勢，所述一或更多個基板設置在基板支撐件之上；
將第一氣體流入所述處理區域，所述第一氣體包含氮；和
將第二氣體流入所述處理區域，其中所述第二氣體包含氬氣、氪氣或氖氣，
其中偏壓所述靶材經配置以促進在所述一或更多個基板上所形成的氮化鋁層的鋁面生長，
其中加工所述一或更多個基板的所述表面的步驟包括使所述一或更多個基板脫氣或濺射蝕刻所述一或更多個基板的表面，并且
其中偏壓所述電極包括在所述一或更多個基板上產生浮動電勢，所述浮動電勢自-300伏特與-1伏特之間變化，并且所述的方法進一步包括以下步驟：
在偏壓所述靶材之前，將所述一或更多個基板加熱至200℃與1000℃之間的溫度；
在偏壓所述靶材的同時控制處理的壓力至0.1毫托與200毫托之間的壓力；以及
以0.2埃/秒與20埃/秒之間的沉積速率沉積所述AlN層。
8.根據權利要求7所述的方法，其中所述靶材進一步包括鋁和II族、IV族或VI族元素。
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