[發明專利]使用激光燒蝕的太陽能電池的接觸形成

有效

• 申請號: 201710165852.X
• 申請日: 2010-10-01
• 公開（公告）號: CN107134498B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 加布里埃爾·哈利;大衛·史密斯;彼得·卡曾斯
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧麗波;李榮勝

1.一種太陽能電池，包括：

硅襯底；

布置在硅襯底上方的電介質材料；

布置在電介質材料上方的多晶硅或非晶硅層，所述多晶硅或非晶硅層具有交替的P型摻雜區和N型摻雜區、以及多個重鑄多晶硅或重鑄非晶硅標記；

布置在多晶硅或非晶硅層上方的電介質堆疊；

穿過電介質堆疊的多個導電接觸，其中所述多個導電接觸中的每個導電接觸與多晶硅或非晶硅層中的多個重鑄多晶硅或重鑄非晶硅標記中的一個對齊，以及其中電介質堆疊包括氮化硅層，以及其中電介質堆疊還包括布置在多晶硅或非晶硅層和氮化硅層之間的二氧化硅層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中二氧化硅層直接布置在多晶硅或非晶硅層上，以及氮化硅層直接布置在二氧化硅層上。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中硅襯底包括單晶硅。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中電介質材料包括二氧化硅。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池，其中多晶硅或非晶硅層直接布置在電介質材料上。

6.一種太陽能電池，包括：

硅襯底；

布置在硅襯底上方的多晶硅或非晶硅層，所述多晶硅或非晶硅層包括第一摻雜區和第一摻雜區中的第一重鑄多晶硅或重鑄非晶硅標記；

布置在硅襯底和多晶硅或非晶硅層之間的電介質膜；

布置在多晶硅或非晶硅層上方的第一電介質層；

穿過第一電介質層并且與第一摻雜區接觸的導電接觸，該導電接觸與第一摻雜區中的第一重鑄多晶硅或重鑄非晶硅標記對齊；以及其中太陽能電池還包括布置在多晶硅或非晶硅層和第一電介質層之間的第二電介質層，其中第一電介質層包括氮化硅。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池，其中第二介質層包括直接布置在多晶硅或非晶硅層上的二氧化硅。

8.根據權利要求6所述的太陽能電池，其中電介質膜包括二氧化硅。

9.根據權利要求6所述的太陽能電池，其中多晶硅或非晶硅層還包括第二摻雜區。

10.一種太陽能電池，包括：

硅襯底；

布置在硅襯底上方的多晶硅或非晶硅層；

包括第一電介質層和第二電介質層的電介質堆疊，其中第二電介質層布置在多晶硅或非晶硅層和第一電介質層之間；

穿過電介質堆疊的導電接觸，導電接觸直接接觸多晶硅或非晶硅層中的第一摻雜區中的重鑄多晶硅或重鑄非晶硅標記；以及其中第一電介質層包括氮化硅，第二電介質層包括直接布置在多晶硅或非晶硅層上的二氧化硅。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池，還包括直接布置在硅襯底上的電介質膜，其中多晶硅或非晶硅層直接布置在電介質膜上。

12.根據權利要求11所述的太陽能電池，其中電介質膜包括二氧化硅。

13.根據權利要求10所述的太陽能電池，其中第一摻雜區為P型摻雜區，以及多晶硅或非晶硅層還包括N型摻雜區。