[發(fā)明專利]VFTO抑制裝置、阻尼母線單元、母線及GIS在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710165822.9 | 申請日： | 2017-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN106972396A | 公開（公告）日： | 2017-07-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 裴濤;金光耀;柏長宇;郭煜敬;李麗娜;王志剛;葉三排;杜麗平 | 申請（專利權(quán)）人： | 平高集團(tuán)有限公司;國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)山東省電力公司檢修公司 |
| 主分類號： | H02B13/025 | 分類號： | H02B13/025;H02G5/06 |
| 代理公司： | 鄭州睿信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司41119 | 代理人： | 陳曉輝 |
| 地址： | 467001 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | vfto 抑制 裝置 阻尼 母線 單元 gis | ||
1.VFTO抑制裝置，其特征在于，包括套式的絕緣外殼，所述絕緣外殼的壁中設(shè)置有至少一個磁環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VFTO抑制裝置，其特征在于，所述絕緣外殼灌封在磁環(huán)外部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的VFTO抑制裝置，其特征在于，所述絕緣外殼為聚氨酯外殼。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的VFTO抑制裝置，其特征在于，所述磁環(huán)有兩個以上，各磁環(huán)位于絕緣外殼的壁中所設(shè)的相互獨(dú)立的空腔中。
5.阻尼母線單元，包括筒體、觸座和通過絕緣支撐安裝在筒體中的導(dǎo)電桿，其特征在于，所述導(dǎo)電桿上套有至少一個VFTO抑制裝置，所述VFTO抑制裝置為權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的VFTO抑制裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻尼母線單元，其特征在于，所述VFTO抑制裝置的外部設(shè)有屏蔽罩。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻尼母線單元，其特征在于，所述導(dǎo)電桿通過接頭與相應(yīng)的觸座連接，所述屏蔽罩固定在相應(yīng)的接頭或者觸座上。
8.母線，包括兩個以上依次設(shè)置的母線單元，其特征在于，所述母線單元中的至少一個為權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的阻尼母線單元。
9.GIS，包括隔離開關(guān)和母線，所述母線為權(quán)利要求8所述的母線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的GIS，其特征在于，所述母線的阻尼母線單元靠近隔離開關(guān)設(shè)置。
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