[發明專利]形成圖案的方法以及光掩模在審
| 申請號： | 201710165144.6 | 申請日： | 2017-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN106873304A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 廖峰;林允植;崔賢植;嚴允晟;方正;張世玉;牛海軍 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司11438 | 代理人： | 姜怡,王衛忠 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 圖案 方法 以及 光掩模 | ||
1.一種光掩模，包括：
第一透光區域和第二透光區域；以及
遮光圖案，形成在所述第二透光區域中以遮擋所述第二透光區域的一部分，其中所述遮光圖案不透光。
2.根據權利要求1所述的光掩模，其中，所述遮光圖案位于所述第二透光區域的中心位置。
3.根據權利要求1所述的光掩模，其中，所述遮光圖案的尺寸小于所述第二透光區域的尺寸。
4.根據權利要求1所述的光掩模，其中，所述遮光圖案具有相對于其中心對稱的形狀。
5.根據權利要求1所述的光掩模，其中，所述遮光圖案由穿過所述第二透光區域的中心的遮光條形成。
6.根據權利要求5所述的光掩模，其中，所述遮光條包括在圓周上均勻分布的多個遮光條。
7.一種形成圖案的方法，包括：
形成感光材料層；
利用光掩模對所述感光材料層進行曝光；以及
對曝光后的感光材料層進行顯影和蝕刻，以形成具有不同高度的圖案，
其中，所述光掩模具有第一透光區域和第二透光區域，所述第二透光區域中形成有遮光圖案，以及
其中，所述遮光圖案不透光。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述光掩模包括根據權利要求2-6中任一項所述的光掩模。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述具有不同高度的圖案包括主光阻間隔件和次光阻間隔件。
10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述感光材料包含負性光致抗蝕劑，所述第一透光區域對應于主光阻間隔件，所述第二透光區域對應于次光阻間隔件。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
