[發(fā)明專利]制備垂直有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法及垂直有機(jī)場效應(yīng)晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710163841.8 | 申請日: | 2017-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN107026236B | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 漢斯·克勒曼;格雷戈?duì)枴な┩叽?/a> | 申請(專利權(quán))人: | 諾瓦爾德股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/05 | 分類號: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 楊青;穆德駿 |
| 地址: | 德國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 垂直 有機(jī) 場效應(yīng) 晶體管 方法 | ||
1.一種制備垂直有機(jī)場效應(yīng)晶體管的方法,其中帶有層配置的垂直有機(jī)場效應(yīng)晶體管是制備在襯底上的,所述層配置包含晶體管電極、電絕緣層(25)以及有機(jī)半導(dǎo)體層(28),晶體管電極也就是第一電極(23;24)、第二電極(23;24)和第三電極(32),其中該方法包含下述步驟:
-提供襯底(21),
-在襯底(21)上沉積選擇性粘附層(22),
-制備垂直有機(jī)場效應(yīng)晶體管的部分層結(jié)構(gòu)(20),部分層結(jié)構(gòu)(20)包含至少一個晶體管電極(23;24)和至少一個電絕緣層(25),晶體管電極和電絕緣層在各自的直接接觸區(qū)域(26;27)中粘附至選擇性粘附層(22),
-通過將至少一種有機(jī)半導(dǎo)體材料粘附沉積在部分層結(jié)構(gòu)(20)上且所述選擇性粘附層(22)阻止所述至少一種有機(jī)半導(dǎo)體材料粘附沉積在所述部分層結(jié)構(gòu)(20)之外,來制備至少一個有機(jī)半導(dǎo)體層(28);以及
-制備垂直有機(jī)場效應(yīng)晶體管的剩余部分層結(jié)構(gòu)(31)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中部分層結(jié)構(gòu)(20)制備有第一電極(23;24)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法,其中有機(jī)半導(dǎo)體層(28)粘附沉積在第一電極(23;24)、第二電極(24;23)以及至少一個電絕緣層(25)上。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法,其中在制備部分層結(jié)構(gòu)(20)的過程中,至少一個晶體管電極(23;24)和至少一個電絕緣層(25)被結(jié)構(gòu)化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法,其中所實(shí)施的結(jié)構(gòu)化是等離子體-輔助蝕刻,在這種情況下,等離子體應(yīng)用也覆蓋部分層結(jié)構(gòu)(20)外的選擇性粘附層(22)的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3和5中的任一項(xiàng)的方法,其中由所述至少一種有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的層在半導(dǎo)體層制備期間沒有被粘附沉積在所述部分層結(jié)構(gòu)之外,并與選擇性粘附層(22)的表面形成大于21±2度的接觸角。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的方法,其中由所述至少一種有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的層在半導(dǎo)體層制備期間沒有被粘附沉積在所述部分層結(jié)構(gòu)之外,并與選擇性粘附層(22)的表面形成大于21±2度的接觸角。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中由所述至少一種有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的層被形成為非封閉層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法,其中由所述至少一種有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的層被形成為非封閉層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3、5和7至9中的任一項(xiàng)的方法,其中選擇性粘附層(22)由電絕緣材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求4的方法,其中選擇性粘附層(22)由電絕緣材料制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中選擇性粘附層(22)由電絕緣材料制成。
13.垂直有機(jī)場效應(yīng)晶體管,其包含襯底(21)上的具有晶體管電極、電絕緣層(25)和由至少一種有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的有機(jī)半導(dǎo)體層(28)的層配置,晶體管電極也就是第一電極(23;24)、第二電極(24;23)和第三電極(32),其中襯底(21)上的層配置被設(shè)置在選擇性粘附層(22)上,選擇性粘附層為晶體管電極和至少一個電絕緣層(25)提供粘附基極層,并且為有機(jī)半導(dǎo)體層(28)提供抗-粘附基極層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于諾瓦爾德股份有限公司,未經(jīng)諾瓦爾德股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710163841.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明





