[發明專利]一種微透鏡陣列制作的工藝方法有效
| 申請號: | 201710163195.5 | 申請日: | 2017-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN106707381B | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | 鄧軍;馮獻飛;牟桐;李超慧 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | G02B3/00 | 分類號: | G02B3/00 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 透鏡 陣列 制作 工藝 方法 | ||
1.一種微透鏡陣列的制作方法,其特征在于:該方法包括以下步驟:
(1)清洗基片,去除基片表面吸附的灰塵和油脂;
(2)烘干基片,去除基片上部引入的水分和易揮發物質;
(3)利用甩膠機在基片上旋涂PMMA,然后得到均勻的PMMA膜;
(4)將加熱臺的加熱時間調到60s,溫度調到100℃,把基片放到加熱臺上進行前烘5分鐘;
(5)在PMMA膜上濺射一層100nm薄金層;
(6)在薄金層上再旋涂一層薄光刻膠;
(7)將加熱臺的加熱時間調到60s,溫度調到100℃,把基片放到加熱臺上進行前烘5分鐘;
(8)進行曝光、顯影得到預設的圖形;
(9)將加熱臺的加熱時間調到60s,溫度調到100℃,把基片放到加熱臺上進行前烘5分鐘;
(10)腐蝕掉裸露出的薄金層;
(11)利用刻蝕工藝去除保護薄金層的光刻膠和裸露出的PMMA膜;
(12)腐蝕掉剩余的薄金層;
(13)熱熔PMMA膜,通過控制熱熔的溫度和時間得到微透鏡表面結構。
2.根據權利要求1所述的一種微透鏡陣列的制作方法,其特征在于:方法步驟如下:
(1)將基片依次放入丙酮和乙醇中加熱煮沸,然后用去離子水清洗基片30遍;
(2)氮氣吹干基片后,將基片放到加熱臺上烘5分鐘,除去基片上的水分;
(3)把基片放到甩膠機上,先將甩膠機調至每秒旋轉200轉,慢速旋轉滴PMMA,再將轉速調至每秒旋轉1500轉,旋轉30s攤勻PMMA,得到PMMA膜;
(4)將加熱臺時間調到90s,溫度調到130℃后,把基片放到加熱臺上進行前烘5-10分鐘;
(5)在PMMA膜上濺射一層厚度為100nm的薄金層;
(6)把基片放到甩膠機上,將甩膠機調至每秒旋轉2000轉,涂上除濕劑旋轉15s;再將轉速調至每秒旋轉4000轉后,涂上AZ5214光刻膠旋轉30s;
(7)將加熱臺的加熱時間調到60s,溫度調到100℃,把基片放到加熱臺上進行前烘5分鐘;
(8)采用紫外曝光機對基片進行曝光28s,顯影28-30s至圖形完全出來;
(9)將加熱臺溫度調到100℃,時間調到180s,把基片放到加熱臺上進行后烘5分鐘,用打膠機進行打膠2分鐘;
(10)用金層的腐蝕液,腐蝕液的組份I2:H2O:KI=1g:40ml:4g,將裸露出的薄金層腐蝕掉;
(11)清洗基片后,用離子束刻蝕機對基片進行刻蝕,刻蝕條件為:氣體壓力750mTorr、氧氣流量15cm3、刻蝕功率300W;刻蝕將把薄金層上面的薄光刻膠AZ 5214去掉,把裸露出的PMMA膜刻蝕掉;
(12)用金腐蝕液去掉PMMA膜上剩余的薄金層;
(13)最后進行熱熔:將基片放入烘箱中,烘箱溫度為230℃,時間為5分鐘,在此溫度下,基片表面的PMMA膜會在表面張力的控制下熔融成具有微透鏡表面結構的形狀。
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