[發(fā)明專利]TFT基板的制作方法及TFT基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710162222.7
• 申請(qǐng)日: 2017-03-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106898616B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金元仲;孟林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法及TFT基板。本發(fā)明的TFT基板的制作方法，通過(guò)對(duì)柵極金屬層的圖案進(jìn)行設(shè)計(jì)，使柵極金屬層對(duì)應(yīng)形成跨接孔的區(qū)域設(shè)有反射塊，從而在形成跨接孔的過(guò)程中，通過(guò)反射塊對(duì)光線進(jìn)行反射而加強(qiáng)形成跨接孔位置處的曝光強(qiáng)度，在受現(xiàn)有曝光機(jī)曝光極限尺寸限制的情況下，仍可保證高PPI顯示面板器件中形成跨接孔時(shí)曝光充分，進(jìn)而可實(shí)現(xiàn)高PPI顯示面板產(chǎn)品的生產(chǎn)。本發(fā)明的TFT基板，可保證高PPI顯示面板器件中形成跨接孔時(shí)曝光充分，進(jìn)而可實(shí)現(xiàn)高PPI顯示面板產(chǎn)品的生產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板的制作方法及TFT基板。

背景技術(shù)

目前，越來(lái)越多顯示器開(kāi)始使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列(Array)基板進(jìn)行像素驅(qū)動(dòng)，以完成顯示器的顯示。TFT陣列基板作為目前顯示器中的主要結(jié)構(gòu)部分，用于向顯示器提供驅(qū)動(dòng)電路，通常設(shè)置有數(shù)條柵極掃描線和數(shù)條數(shù)據(jù)線，該數(shù)條柵極掃描線和數(shù)條數(shù)據(jù)線限定出多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管器件和像素電極，薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的柵極掃描線相連，當(dāng)柵極掃描線上的電壓達(dá)到開(kāi)啟電壓時(shí)，薄膜晶體管的源極和漏極導(dǎo)通，從而將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓輸入至像素電極，進(jìn)而控制相應(yīng)像素區(qū)域的顯示。傳統(tǒng)的TFT陣列基板上像素單元的結(jié)構(gòu)通常包括自下而上依次層疊設(shè)置的襯底基板、半導(dǎo)體層、氧化層、柵極金屬層、第一絕緣層、第二絕緣層、源漏極金屬層、絕緣保護(hù)層、及像素電極；其中，為了實(shí)現(xiàn)兩層之間的連接，還需要在像素單元上制作跨接孔，例如源漏極與有源層之間的連接，像素電極與漏極之間的連接等。

隨著4K、8K顯示器的開(kāi)發(fā)，人們對(duì)顯示器的分辨率的需求也越來(lái)越高，高像素密度(pixels per inch，PPI)已經(jīng)成為顯示器行業(yè)的主要發(fā)展方向。屏幕供應(yīng)商開(kāi)始挑戰(zhàn)800PPI以上的產(chǎn)品，此時(shí)，需要將TFT器件的跨接孔的尺寸做到很小，如1um。目前，主要利用構(gòu)圖工藝對(duì)TFT器件的跨接孔進(jìn)行制作，具體為，在涂有光刻膠(Photo Resist，PR)的基板上方放置掩膜板，然后利用曝光機(jī)對(duì)基板進(jìn)行曝光，具體的，曝光機(jī)通過(guò)開(kāi)啟超高壓水銀燈發(fā)出紫外(UV)光線，將掩膜板上的圖像信息轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的基板表面上，基于掩膜板的圖案，光刻膠會(huì)有被曝光的部分和未被曝光的部分；再利用顯影液對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影，即可去除光刻膠被曝光的部分，保留光刻膠未被曝光的部分(正性光刻膠)，從而使光刻膠形成所需的圖形；然后以保留的光刻膠為遮蔽，對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，從而形成跨接孔。然而目前業(yè)界普遍使用尼康(Nikon)曝光機(jī)進(jìn)行陣列基板的曝光制程，受當(dāng)前曝光機(jī)曝光極限尺寸影響(曝光極限尺寸2um)，超高PPI顯示面板器件的跨接孔的曝光制程，光刻膠常因曝光不充分而無(wú)法顯影掉，導(dǎo)致產(chǎn)品的不良，如圖1所示，待蝕刻材料層200上涂布有光刻膠層300，光刻膠層300上方設(shè)置的掩膜板500的圖案精度為1μm，而曝光機(jī)的曝光極限尺寸為2μm，光刻膠層300對(duì)應(yīng)掩膜板500上透光圖案501的部分曝光不足，從而光刻膠層300在經(jīng)顯影液顯影后，該曝光不足的部分并未完全被顯影去除，進(jìn)而無(wú)法進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)對(duì)待蝕刻材料層200進(jìn)行圖案化的蝕刻。

因此，設(shè)計(jì)一種新的TFT基板的制作方法，以滿足超高PPI顯示面板器件中跨接孔的曝光制程要求，是十分必要的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，可保證高PPI顯示面板器件形成跨接孔時(shí)曝光充分，進(jìn)而可實(shí)現(xiàn)高PPI顯示面板產(chǎn)品的生產(chǎn)。

本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT基板，可保證高PPI顯示面板器件形成跨接孔時(shí)曝光充分，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高PPI顯示面板產(chǎn)品的生產(chǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

沉積并經(jīng)圖案化工藝形成柵極金屬層的步驟，所述柵極金屬層包括柵極、及反射塊，所述反射塊與所述柵極不連接；

在所述柵極金屬層上形成絕緣層的步驟；