[發明專利]真空開關管用陶瓷上釉工藝在審
| 申請號: | 201710161127.5 | 申請日: | 2017-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN106830683A | 公開(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發明(設計)人: | 王偉 | 申請(專利權)人: | 無錫康偉工程陶瓷有限公司 |
| 主分類號: | C03C8/00 | 分類號: | C03C8/00;C04B41/86;C04B35/64;B28B11/04;B24B7/17;B24B7/22 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104 | 代理人: | 曹祖良,張仕婷 |
| 地址: | 214191 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空開關 管用 陶瓷 上釉 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種真空開關管用陶瓷上釉工藝,屬于陶瓷上釉技術領域。
背景技術
陶瓷的工藝流程分為練泥、拉坯、印坯、利坯、曬坯、刻花、施釉、燒窯等十幾道工序。釉有很多種,以石英、長石、硼砂、黏土等為原料制成的物質,涂在瓷器、陶器的表面進行燒制。在燒制好的毛坯上涂覆上一層玻璃質的釉層,主要起到保護和裝飾作用。常用的幾種上釉方法如下:
1、浸釉法:這種上釉的方法,就是可以把釉藥很均勻的敷于坯體表面,即使再復雜的形體也不例外。同時具備了省時,和容易操作的好處。但是,在使用這種方法時,為了使坯體能整個的浸入釉漿中,需要較多量的釉漿,因此并不適用與大型坯體。
2、淋釉法:如果坯體較大,在采用浸釉法上釉時,勢必會遇到容器體積不夠大,或是操作程序上的困難。而上釉者又希望能夠在短時間內,以不太費事的方法,得到釉層均勻的效果;此時,便可以采用淋釉法來上釉了。同時,淋釉法更能制造出具有流動感的特殊效果,是一種廣被先民所采用的上釉法。
3、刷釉法:這種上釉法,最適合于小面積的涂布,或是用釉色來作畫時采用,但也同樣的可用于制造特殊效果。可是在選擇刷釉的工具時,最好選擇能吸附較多釉漿的羊毫毛筆。
4、噴釉法:這種方法將要施釉的陶坯,置于轉盤之上,施釉者在邊規律性的轉動轉盤時,邊以噴霧器將釉漿直接噴射於陶坯上的方法,即是噴釉法。
釉因其具有良好的光滑度已廣泛用于人們日產生活中,但是大多使用手工噴釉,陶瓷表面的釉水層多有不均勻現象,釉表面容易出現裂紋,釉表面不平整,易出現流掛,同時,燒結時由于溫度不均,導致釉面起泡、真空開關管陶瓷產品變形等缺陷,其所得產品質量普遍不高,甚至導致產品報廢。
發明內容
本發明的目的是提供一種真空開關管用陶瓷的上釉工藝,此種方法方便便捷,保持釉水層一致性,提高產品的合格率。
本發明的技術方案,真空開關管用陶瓷上釉工藝,步驟如下:
(1)烘干:將產品真空開關管進行清洗后,隨后對其烘干,使其表面溫度為280~320℃;
(2)上釉:配置釉水如下:取85~90份的長石,1~5份氧化硅和8~12份去離子水,充分攪拌均勻制成釉水,使用上釉設備在步驟(1)所得真空開關管的陶瓷表面噴灑100~500nm的釉水層;
上釉過程,產品裝載在工位上,工作臺自動旋轉,設備外沿裝有天然氣燃燒爐用以加熱工件外部,通過設備程序控制計算時間,當產品旋轉到噴槍所在位置的時候產品表面達到上釉工藝所需的溫度,然后進行噴釉,上釉完成后在上料工位下料。
(3)燒釉:
①將步驟(2)所得上釉后的真空開關管陶瓷體放置在窯車上的承燒板上,產品可疊加,陶瓷體的頂端面距離爐膛頂部為30~50mm;
②窯車從升溫區經過加熱區推向冷卻區,加熱區的溫度控制在1250~1550℃,推進速度10~15mm/min,通過升溫區的總耗時控制在10~15h,通過加熱區的總耗時控制在2~6h,通過冷卻區的總耗時控制在8~15h,得到燒結后的真空開關管;
(4)磨加工:使用雙端面磨床研磨步驟(3)所得真空開關管陶瓷兩端,使得端面粗糙度控制在1.2~1.8nm;
(5)清洗:將步驟(4)研磨后的真空開關管放入水中,使用超聲波清洗1~2小時,超聲頻率為20-40Hz。
步驟(2)所述長石的粒徑為2~3nm;氧化鋁的粒徑為1.5~3nm。
步驟(3)所述燒結過后真空開關管的釉層厚度為50~250nm。
步驟(4)所述雙端面磨床的砂輪為180~220目。
本發明的有益效果:本發明操作簡單方便,能夠全自動噴釉,有效控制釉水層的厚度,避免釉水過多導致產品粘結。
具體實施方式
實施例1
(1)烘干:將清洗后的產品烘干,表面溫度為280℃;
(2)上釉:85份的長石(粒徑2nm),1份氧化鋁(粒徑1.5nm),8份去離子水攪拌制成釉水,使用全自動上釉設備在陶瓷表面噴灑100nm的釉水層;
(3)燒釉:
①將上釉后的陶瓷體放置在窯車上的承燒板上,產品可疊加,陶瓷體的頂端面距離爐膛頂部為30mm;
②窯車從升溫區經過加熱區推向冷卻區,加熱區的溫度控制在1250℃,推進速度10mm/min,通過升溫區的總耗時控制在10h,通過加熱區的總耗時控制在2h,通過冷卻區的總耗時控制在8h;
③燒結過后的釉層50nm;
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