[發明專利]InP基異質結雙極晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201710160773.X
• 申請日: 2017-03-17
• 公開（公告）號: CN106952951B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 汪寧
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L21/331;H01L21/027
• 代理公司: 11667 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙永剛<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種InP基異質結雙極晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

使用深紫外光源對InP基異質結雙極晶體管表面的發射極外延層進行光刻，形成發射極電極；

腐蝕含有所述發射極電極的發射極外延層，露出所述InP基異質結雙極晶體管的基極外延層；

在露出的所述InP基異質結雙極晶體管的基極外延層表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；

使用深紫外光源對露出的所述InP基異質結雙極晶體管的基極外延層進行光刻；

在所述露出的所述InP基異質結雙極晶體管的基極外延層表面蒸發金屬合金；

腐蝕所述金屬合金，形成基極電極；

腐蝕含有所述基極電極的基極外延層，露出所述InP基異質結雙極晶體管的集電極外延層；

使用深紫外光源對露出的所述InP基異質結雙極晶體管的集電極外延層進行光刻，形成集電極電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用深紫外光源對InP基異質結雙極晶體管表面的發射極外延層進行光刻，形成發射極電極包括：

在所述InP基異質結雙極晶體管表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；

使用深紫外光源對所述InP基異質結雙極晶體管表面的發射極外延層進行光刻；

在所述InP基異質結雙極晶體管表面蒸發金屬合金；

腐蝕所述金屬合金，形成發射極電極。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬合金為Ti/Pt/Au/Ti/Au，所述Ti/Pt/Au/Ti/Au的厚度為15nm/15nm/400nm/10nm/400nm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬合金為Pt/Ti/Pt/Au，所述Pt/Ti/Pt/Au的厚度為2nm/15nm/15nm/120nm。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用深紫外光源對露出的所述InP基異質結雙極晶體管的集電極外延層進行光刻，形成集電極電極包括：

在露出的所述InP基異質結雙極晶體管的集電極外延層表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；

使用深紫外光源對露出的所述InP基異質結雙極晶體管的集電極外延層進行光刻；

在所述露出的所述InP基異質結雙極晶體管的集電極外延層表面蒸發金屬合金；

腐蝕所述金屬合金，形成集電極電極。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬合金為Ti/Pt/Au，所述Ti/Pt/Au的厚度為15nm/15nm/400nm。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述深紫外光源的波長為180nm至240nm。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述使用深紫外光源對InP基異質結雙極晶體管表面的發射極外延層進行光刻，形成發射極電極之前，所述方法還包括：

使用分子束外延法生長出InP/GaAsSb的異質結雙極晶體管結構。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述使用分子束外延法生長出InP/GaAsSb的異質結雙極晶體管結構包括：

在InP襯底上依次生長厚度為250nm至270nm、摻雜濃度為1.2×10¹⁹的N型高摻雜InP外延層、

厚度為50nm至60nm、摻雜濃度為2×10¹⁹的N型高摻雜InGaAs集電極外延層、

厚度為150nm至170nm、摻雜濃度為1×10¹⁹的InP緩沖層、

厚度為20nm至40nm、摻雜濃度為1×10¹⁷的P型高摻雜GaAsSb基極外延層、

厚度為130nm至150nm、摻雜濃度為2×10¹⁷的InP緩沖層、

厚度為100nm至120nm、摻雜濃度為3×10¹⁹的N型高摻雜InGaAs發射極外延層。