[發(fā)明專利]一種TF卡片內(nèi)Flash的糾錯方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710160668.6 | 申請日: | 2017-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN106951342B | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 雷燕婕 | 申請(專利權(quán))人: | 數(shù)據(jù)通信科學技術(shù)研究所;興唐通信科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/14 | 分類號: | G06F11/14 |
| 代理公司: | 北京天達知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 王一;龔頤雯 |
| 地址: | 100191*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 tf 卡片 flash 糾錯 方法 | ||
1.一種TF卡片內(nèi)Flash的糾錯方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1:TF卡上電后,進行軟硬件初始化;
步驟S2:等待上位機的握手信號,若在預(yù)設(shè)時間內(nèi)接收到正確的握手信號,執(zhí)行步驟S3;若等待握手信號超時,執(zhí)行步驟S4;
步驟S3:下載應(yīng)用程序;
步驟S4:對應(yīng)用程序進行檢錯和糾錯,啟動應(yīng)用程序;
所述步驟S4包括以下步驟:
步驟S401:從片外Flash的應(yīng)用程序校驗碼區(qū)讀取全部的標準校驗值至RAM中;
步驟S402:對片內(nèi)Flash中的應(yīng)用程序空間存儲的有效數(shù)據(jù)求取CRC校驗值;
步驟S403:如果求取的CRC校驗值與從片外Flash讀取至RAM中的標準校驗值存在偏差,則對應(yīng)用程序進行糾錯;
步驟S404:糾錯完成后,關(guān)閉片外Flash的時鐘和電源,跳轉(zhuǎn)到應(yīng)用程序的起始地址啟動應(yīng)用程序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟S3包括以下步驟:
步驟S301:接收上位機的應(yīng)用程序;
步驟S302:將從上位機接收的應(yīng)用程序?qū)懭肫瑑?nèi)Flash的應(yīng)用程序區(qū);
步驟S303:將從上位機接收的應(yīng)用程序?qū)懭肫釬lash的應(yīng)用程序備份區(qū);
步驟S304:計算步驟S303應(yīng)用程序數(shù)據(jù)的CRC校驗值作為標準校驗值寫入片外Flash的應(yīng)用程序校驗碼區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,從上位機每接收到256字節(jié)數(shù)據(jù),執(zhí)行步驟S302,不足256字節(jié)數(shù)據(jù)按實際長度處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法,其特征在于,片內(nèi)Flash的起始地址存放糾錯代碼,后續(xù)存放應(yīng)用程序;片外Flash的起始地址存放應(yīng)用程序的標準校驗值,后續(xù)存放應(yīng)用程序的備份。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,片外Flash無數(shù)據(jù)讀寫時關(guān)閉其獨立電源時鐘,只在使用時開啟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述步驟S402中,對于片內(nèi)Flash中的應(yīng)用程序空間存儲的有效數(shù)據(jù),每256字節(jié)求取一個8bit的CRC校驗值,不足256字節(jié)按實際長度處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,步驟S403所述的對應(yīng)用程序進行糾錯,從片外Flash的應(yīng)用程序備份區(qū)讀取備份數(shù)據(jù),并將備份數(shù)據(jù)寫入到片內(nèi)Flash中覆蓋原始數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,應(yīng)用程序運行過程中,當終端設(shè)備訪問TF卡時,TF卡自動從低功耗模式恢復(fù)到正常模式,糾錯代碼對應(yīng)用程序進行檢錯和糾錯,糾錯完成后繼續(xù)運行應(yīng)用程序。
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