[發明專利]一種瓶頸式反應管及高通量二維單晶爐裝置

有效

• 申請號: 201710159585.5
• 申請日: 2017-03-17
• 公開（公告）號: CN106948001B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 簡賢;張萬里;張文旭;尹良君;唐輝;饒高峰;李言榮
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B29/64
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種瓶頸式反應管，其特征在于，所述瓶頸式反應管呈圓筒狀，其底部封閉，頂部采用封管密封，其側面沿垂直放置設置有若干個“瓶頸”形頸部；所述瓶頸式反應管為真空封管中，原料置于底部，基片水平安裝于頸部。

2.按權利要求1所述瓶頸式反應管，其特征在于，所述“瓶頸”形頸部的數量為7～15個，相鄰頸部之間的間距為12cm～15cm。

3.按權利要求1所述瓶頸式反應管，其特征在于，所述瓶頸式反應管的外徑為17～25mm；所述“瓶頸”形頸部的直徑最小處的直徑為3mm～15mm。

4.高通量二維單晶爐裝置，包括：爐體(1)、剛玉石英管(2)、按權利要求1所述瓶頸式反應管(3)、溫控系統(5)及環形加熱圈(6)；其特征在于，所述剛玉石英管(2)設置于爐體(1)內壁，所述瓶頸式反應管(3)設置于剛玉石英管內(2)，所述環形加熱圈(6)嵌套設置于剛玉石英管(2)內部、與所述瓶頸式反應管(3)中安裝的基片呈一一對應關系、且處于同一水平位置；所述溫控系統(5)連接爐體、用于控制裝置溫度。

5.按權利要求4所述高通量二維單晶爐裝置，其特征在于，所述高通量二維單晶爐裝置中瓶頸式反應管數量≥1，每支瓶頸式反應管形狀相同、且底部位于同一水平位置。

6.按權利要求4所述高通量二維單晶爐裝置，其特征在于，所述爐體為一個整體爐體、或者多個分段爐體堆疊構成。

7.按權利要求6所述高通量二維單晶爐裝置，其特征在于，所述爐體爐膛內徑為100～150mm、外徑為300～500mm；當所述爐體采用分段式爐體，則分段式爐體高度為12～15mm。