[發(fā)明專利]一種防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710158898.9 | 申請日: | 2017-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN106756854A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃現(xiàn)虎 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇海德曼新材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/06;C23C14/18 |
| 代理公司: | 北京方圓嘉禾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11385 | 代理人: | 董芙蓉 |
| 地址: | 221200 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 沖蝕 摩擦 鍍膜 金屬 基材 及其 制備 方法 | ||
1.一種防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材,其特征在于:所述防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材包括金屬基材基底(0),所述金屬基材基底(0)由內(nèi)向外依次為金屬鈦層(1)、氧化銦錫層(2)、氮化鈦層(3)、第一氧化硅層(4)、鎳基合金層(5)、氮化鋯鈦層(6)、第二氧化硅層(7)、氮化鉻鋯鈦層(8)和氮化鉻鋯鋁鈦層(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材,其特征在于:所述金屬鈦層(1)的厚度為18~30nm,所述氧化銦錫層(2)的厚度為0.6~1.5μm,所述氮化鈦層(3)的厚度為0.3~1.2μm,所述第一氧化硅層(4)的厚度為0.2~0.8μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材,其特征在于:所述鎳基合金層(5)的厚度為1.0~1.6μm,所述氮化鋯鈦層(6)的厚度為0.2~0.8μm,所述第二氧化硅層(7)的厚度為0.6~1.2μm,所述氮化鉻鋯鈦層(8)的厚度為1.2~1.6μm,所述氮化鉻鋯鋁鈦層(9)的厚度為1~1.4μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材,其特征在于:所述金屬基材基底(0)的材質(zhì)為不銹鋼、鐵或銅。
5.權(quán)利要求1至4任一項所述的防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)采用平衡或非平衡磁控濺射方式,鍍膜設(shè)備置于潔凈度十萬級以內(nèi)、濕度小于60%的潔凈室內(nèi),設(shè)備冷卻水溫度在15~25℃;鍍膜時本底真空要求:鍍膜室真空度<2.3×10-3Pa、真空室真空度<1Pa;
(2)金屬基材基底經(jīng)清洗機(jī)清洗后,依次通過進(jìn)入室和隔離室,到達(dá)鍍膜室,進(jìn)入鍍膜室后,關(guān)閉隔離室與鍍膜室間的隔離閥,抽真空至本地真空,之后通入氬氣和工藝氣體維持真空度在0.2~0.8Pa;
(3)待鍍膜室腔體內(nèi)總氣壓穩(wěn)定后,將金屬基材基底正對濺射靶面,金屬基材基底與靶面之間的距離保持在5~18cm,連續(xù)開啟中頻電源、直流電源和射頻電源,依次在金屬基材基底膜層;
(4)鍍膜過程中基底傳輸速度保持平穩(wěn)均勻,速度范圍為0.6~2.8m/min,制得防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材的制備方法,其特征在于:在步驟(2)和(3)中,鍍制時工藝氣體為氧氣或氮氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防沖蝕耐摩擦鍍膜金屬基材的制備方法,其特征在于:在步驟(3)中,電源采用恒功率的范圍為3~40kw或恒電流的范圍為3~30A。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





