[發明專利]一種貼鍍銀片的軟銅排及其制備方法

在審

• 申請號: 201710158822.6
• 申請日: 2017-03-17
• 公開（公告）號: CN106816217A
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 李方熊;林國軍
• 申請（專利權）人: 深圳巴斯巴科技發展有限公司
• 主分類號: H01B7/28
• 分類號: H01B7/28;H01B13/00;H01B5/02;H01R43/00
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所44242
• 代理人: 馮筠

技術領域

本發明涉及電連接件技術領域，尤其涉及一種貼鍍銀片的軟銅排及其制備方法。

背景技術

由于銅排貼鍍銀片層外觀銀白光亮，色澤均勻，在空氣中不易變色，能有效的降低接電阻和能量損耗，而且具有良好的可焊性、導電性和低廉的成本，所以在電力、電器、電子工業領域，軟銅排貼鍍銀片已成為一種發展趨勢。

發明內容

本發明的目的在于提供一種貼鍍銀片的軟銅排，其提供了一種新的品質更高的銅排。

為達到上述目的，本發明所提出的技術方案為：

本發明的一種貼鍍銀片的軟銅排，其包括：軟銅排，所述軟銅排的正反兩面上均貼鍍有銀片。

其中，所述的軟銅排的首末兩端的端面也貼鍍有銀片，且所述銀片的厚度為5-8μm。

其中，所述的軟銅排是由多層T2M紫銅箔疊片采用高分子擴散焊焊接而成。

其中，所述的軟銅排的正面或反面的中部設有一弧形凸起部。

其中，所述軟銅排的前端部和后端部上均設有連接孔。

其中，所述軟銅排和銀片表面還涂有一層防氧化的護銀劑。

制備如上所述的貼鍍銀片的軟銅排的制備方法，其包括以下步驟：

第一步，取同樣大小的若干紫銅箔疊片；

第二步，將紫銅箔疊片放入高分子擴散焊機上，采用大電流加熱壓焊的方式將紫銅箔疊片焊接成軟銅排；

第三步，在軟銅排的正反以及首末兩端的端面上采用高分子擴散焊方式焊接銀片，待其冷卻；

第四步，在冷卻之后的軟銅排表面涂抹一層防氧化的護銀劑。

優選的，所述的第一步中的紫銅箔疊片為T2M紫銅銅箔。

優選的，所述的銀片的厚度為5-8μm。

其中，所述的高分子擴散焊的焊接電流為9-10mA，焊接時間為45-60S。

本發明的貼鍍銀片的軟銅排及其制備方法，開發了軟銅排的新作用，擴展了軟銅排的使用面，在軟銅排上貼鍍銀片可讓軟銅排外觀銀白光亮，色澤均勻，不易變色，而且能降低接電阻、能量損耗和生產成本，并且能穩定接觸電阻。

附圖說明

圖1為本發明的貼鍍銀片的軟銅排的整體結構示意圖。

圖2為本發明的貼鍍銀片的軟銅排的俯視圖。

圖3為本發明的貼鍍銀片的軟銅排的制備方法流程圖。

具體實施方式

以下參考附圖，對本發明予以進一步地詳盡闡述。

請參閱附圖1和附圖2，在本實施例中，該貼鍍銀片的軟銅排，其包括：軟銅排1，所述軟銅排1的正反兩面上均貼鍍有銀片2和3，在本實施例中，銀片2和3為四片銀片，分別貼鍍于軟銅排1的正反面的靠近前后的兩端部。

優選的，所述的軟銅排1的首末兩端的端面也貼鍍有銀片，且所述銀片的厚度為5-8μm。即軟銅排1的首末兩端及其正反面均由銀片完整包附。

在本實施例中，所述的軟銅排1是由多層T2M紫銅箔疊片采用高分子擴散焊焊接而成。

更具體的，請再次參閱附圖1和附圖2，所述的軟銅排1的正面或反面的中部設有一弧形凸起部11。其中，所述軟銅排1的前端部和后端部上均設有連接孔12和13。連接孔12和13的數目根據具體電連接的連接件而定。

進一步的，所述軟銅排1和銀片2、3表面還涂有一層防氧化的護銀劑，以防止鍍銀片被氧化。

本實施例還公開了一種制備如上所述的貼鍍銀片的軟銅排的制備方法，該制備方法包括以下步驟：

第一步S1，取同樣大小的若干紫銅箔疊片，并將其疊放在一起，紫銅箔的數目根據所需軟銅排的厚度而定；

第二步S2，將紫銅箔疊片放入高分子擴散焊機上，采用大電流加熱壓焊的方式將紫銅箔疊片焊接成軟銅排；

第三步S3，在軟銅排的正反以及首末兩端的端面上采用高分子擴散焊方式焊接銀片，待其冷卻；

第四步S4，在冷卻之后的軟銅排表面涂抹一層防氧化的護銀劑。

更具體的，所述的第一步S1中的紫銅箔疊片為T2M紫銅銅箔。

優選的，所述的銀片的厚度為5-8μm。

其中，所述的高分子擴散焊的焊接電流為9-10mA，焊接時間為45-60S，并且在焊接之后要保證紫銅箔和銀片的表面粗糙度不大于0.8，焊接時，焊接石墨之間的壓力不大于0.4Pa。焊接石墨之間的壓力影響貼鍍銀片軟銅排的表面平整度，焊接時間的長短影響鍍銀片貼在軟銅排上面的緊固程度，焊接溫度大小，影響鍍銀片和軟銅排之間的熔合程度。這樣既可以使軟銅排外觀銀白光亮，色澤均勻，不易變色，而且能降低接電阻、能量損耗和生產成本，并且能穩定接觸電阻。

上述內容，僅為本發明的較佳實施例，并非用于限制本發明的實施方案，本領域普通技術人員根據本發明的主要構思和精神，可以十分方便地進行相應的變通或修改，故本發明的保護范圍應以權利要求書所要求的保護范圍為準。