[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201710158486.5
• 申請日: 2017-03-17
• 公開（公告）號: CN108622849A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 伏廣才
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 曲瑞

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一半導體結構，所述第一半導體結構包括：第一部件，所述第一部件包括互相間隔開的多層膜；以及在所述第一部件上的第一結合件；

在所述第一部件上形成抗粘滯材料層，其中，所述抗粘滯材料層覆蓋在所述多層膜上；

提供第二半導體結構，所述第二半導體結構包括：第二部件和在所述第二部件上的第二結合件；以及

將所述第一結合件和所述第二結合件結合，以將所述第一部件和所述第二部件結合在一起。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一部件上形成抗粘滯材料層的步驟包括：

對所述第一結合件的表面進行等離子體處理，以在所述第一結合件的表面上形成保護層；

在所述第一部件和所述第一結合件之上形成抗粘滯材料層，所述抗粘滯材料層覆蓋在所述多層膜和所述保護層上；以及

去除所述抗粘滯材料層的在所述保護層上的部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

通過以下條件執行所述等離子體處理：向等離子體反應腔室中通入氮氣，所述腔室內的壓強為0.35Pa至1Pa，射頻功率為150瓦至300瓦，氮氣濃度為40％至60％，偏置電壓為-310V至-290V；

其中，所述保護層為含氮的金屬化合物層。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

通過加熱工藝去除所述抗粘滯材料層的在所述保護層上的部分。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，

所述加熱工藝所需的溫度范圍為360℃至440℃。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一結合件的材料包括鋁；

所述第二結合件的材料包括鍺。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述抗粘滯材料層的材料包括：CF₃(CF2)₇(CH₂)₂SiCl₃。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

在提供第一半導體結構的步驟中，所述第一部件還包括：

襯底；

在所述襯底上的第一絕緣物層；以及

在所述第一絕緣物層上的支撐部，所述支撐部包圍所述多層膜并且與所述多層膜連接成一體；其中，所述第一絕緣物層、所述支撐部和所述多層膜形成空腔，相鄰的所述膜間隔開以形成間隙，所述間隙與所述空腔相通；

其中，在所述第一部件上形成抗粘滯材料層的步驟中，所述抗粘滯材料層通過所述間隙形成在所述多層膜的表面上。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

在提供第一半導體結構的步驟中，所述第一部件還包括：

在所述第一絕緣物層的面向所述空腔側的表面上的第一接觸件；以及

穿過所述支撐部和所述第一絕緣物層的一部分且與所述第一接觸件連接的第一導電通孔部；

其中，所述第一結合件形成在所述支撐部上，所述第一結合件與所述第一導電通孔部連接。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

在提供第二半導體結構的步驟中，所述第二部件包括：

互補金屬氧化物半導體CMOS器件；

在所述CMOS器件上表面上的第二絕緣物層，其中，所述第二結合件形成在所述第二絕緣物層上；

在所述CMOS器件下表面上的第三絕緣物層；

在所述第三絕緣物層上的第二接觸件；

穿過所述CMOS器件和所述第三絕緣物層且與所述第二接觸件連接的第二導電通孔部；以及

位于所述第二絕緣物層內的金屬層，其中，所述CMOS器件、所述第二導電通孔部和所述第二結合件分別與所述金屬層連接。