[發明專利]電子封裝件有效
| 申請號: | 201710156991.6 | 申請日: | 2017-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN108573879B | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發明(設計)人: | 邱品瑞;蔡芳霖;張翊峰;郭啟信;黃彥杰 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/52 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 封裝 | ||
一種電子封裝件,將位于承載結構表面的導電層設計成非連續的圖形,以減少該導電層的布設面積,進而減少該導電層用以接合屏蔽件的焊錫量,以于可靠度測試時,避免該焊錫材因用量過多而沿該屏蔽件流動至該電子封裝件的外表面。
技術領域
本發明關于一種電子封裝件,尤指一種防止電磁干擾的電子封裝件。
背景技術
隨著半導體技術的演進,半導體產品已開發出不同封裝產品型態,而為提升電性品質,多種應用于射頻(Radio frequency,RF)模組的半導體封裝產品具備有屏蔽的功能,以防止電磁干擾(Electromagnetic Interference,簡稱EMI)產生。
圖1A為現有射頻模組的剖面示意圖。如圖1A所示,該射頻模組1將多個如射頻及非射頻式芯片的半導體元件11電性連接在一基板10上,且將一如圖1C所示的屏蔽框架14通過焊錫材料17結合于該基板10的金屬層12上,并以封裝層13包覆各該半導體元件11與該屏蔽框架14,又于該封裝層13上形成一金屬薄膜15,以通過該金屬薄膜15與該屏蔽框架14保護該些半導體元件11免受外界EMI影響。
然而,現有射頻模組1中,該金屬層12為配合該屏蔽框架14的結構而需呈連續環狀,如圖1B所示,因而該焊錫材料17的使用量極多,故于可靠度測試時,若該封裝層13與該屏蔽框架14之間因應力而發生分層(delamination)、或該封裝層13裂開且裂縫向上延伸至該射頻模組1的上表面時,受熱呈熔融狀態的焊錫材料17因用量極多而會沿分層路徑或裂縫流動,致使該射頻模組1的上表面會形成焊錫材料17的球狀異物17a,如圖1D所示,導致該金屬薄膜15受損,造成應用該射頻模組1的產品發生異常。
因此,如何克服上述現有技術的問題,實已成目前亟欲解決的課題。
發明內容
為解決上述現有技術的種種問題,本發明揭示了一種電子封裝件,于可靠度測試時,可避免焊錫材因用量過多而沿屏蔽件流動至該電子封裝件的外表面。
本發明的電子封裝件包括:承載結構,其表面具有導電層,且該導電層的布設路徑的邊緣形成有至少一凹部;電子元件,其設置并電性連接至該承載結構;屏蔽件,其設于該導電層上;包覆層,其形成于該承載結構上以包覆該電子元件與該屏蔽件;以及導電件,其設于該包覆層上且電性連接該屏蔽件。
前述的電子封裝件中,該承載結構定義有置晶區以供接置該電子元件,且該導電層對應位于該置晶區的周圍。
前述的電子封裝件中,該導電層呈環形布設于該承載結構表面。例如,該環形為單圈或多圈。
前述的電子封裝件中,該導電層包含多個相分離的區塊。例如,該些區塊的排設呈直線式或交錯式,且該導電層的排設呈單排或多排。
前述的電子封裝件中,該導電層呈現連續彎折的形狀。例如,該導電層的排設呈單排或多排。
前述的電子封裝件中,該導電層通過導電材結合該屏蔽件。該導電材例如為焊錫材或導電膠。
前述的電子封裝件中,該屏蔽件為框架。
前述的電子封裝件中,該屏蔽件位于該電子元件周圍。
前述的電子封裝件中,該屏蔽件的部分表面外露于該包覆層以接觸該導電件。
前述的電子封裝件中,該導電件為導電層或蓋體。
另外,前述的電子封裝件中,該導電層的布設寬度大于該屏蔽件的布設寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





