[發明專利]非易失性存儲器設備和所述非易失性存儲器設備的操作方法

有效

• 申請號: 201710156724.9
• 申請日: 2017-03-16
• 公開（公告）號: CN107203435B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 鮮于楨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C11/16;G11C13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

一種操作非易失性存儲器設備的方法包括：通過感測存儲在存儲單元陣列的源頁中的數據，將感測數據存儲在頁緩沖器電路中；從所述頁緩沖器電路輸出所述感測數據；對從頁緩沖器電路輸出的感測數據執行糾錯碼(ECC)解碼；將經解碼的數據存儲在所述頁緩沖器電路中；以及通過使用與所述源頁相對應的種子值對從所述頁緩沖器電路輸出的經解碼數據執行去隨機化，將去隨機化的數據提供給外部設備作為讀取數據。

相關申請的交叉引用

本美國非臨時申請基于35USC§119要求2016年3月17日向韓國知識產權局(KIPO)遞交的韓國專利申請10-2016-0031999的優先權，其全部公開內容通過引用合并于此。

技術領域

示例實施例總體上涉及半導體集成電路，更具體地，涉及非易失性存儲器設備和操作非易失性存儲器設備以有效執行隨機化和去隨機化的方法。

背景技術

用于存儲數據的半導體存儲器設備可以分為易失性存儲器設備和非易失性存儲器設備。易失性存儲器設備(例如，動態隨機存取存儲(DRAM)設備)通常被配置為通過對存儲單元中的電容器進行充電或放電來存儲數據，并在斷電時丟失所存儲的數據。非易失性存儲器設備(例如，閃存裝置)可以即使在斷電的情況下仍維持所存儲的數據。易失性存儲器設備被廣泛用作各種裝置的主存儲器，而非易失性存儲器設備被廣泛用于在諸如計算機、移動設備等的各種電子設備中存儲程序代碼和/或數據。

半導體存儲器設備的存儲容量根據制造工藝的發展而增加。隨著半導體存儲器設備的集成度的增加，缺陷存儲單元的數量相應地增加，且相鄰存儲單元之間的耦合干擾也增加。這種缺陷存儲單元和耦合干擾的增加導致半導體存儲器設備的產量降低。可以執行糾錯碼(ECC)操作以修復缺陷存儲單元，且可以執行數據的隨機化以減小耦合干擾。半導體存儲器設備的產量和性能可以取決于ECC和隨機化的效率。

發明內容

一些示例實施例可以提供一種能夠提高ECC和隨機化的效率的非易失性存儲器設備。

一些示例實施例可以提供一種操作能夠提高ECC和隨機化的效率的非易失性存儲器設備的方法。

根據示例實施例，一種操作非易失性存儲器設備的方法包括：通過感測存儲在存儲單元陣列的源頁中的數據，將感測數據存儲在頁緩沖器電路中；從所述頁緩沖器電路輸出所述感測數據；對從所述頁緩沖器電路輸出的感測數據執行糾錯碼(ECC)解碼；將經解碼的數據存儲在所述頁緩沖器電路中；以及通過使用與所述源頁相對應的種子值對從所述頁緩沖器電路輸出的經解碼數據執行去隨機化，將去隨機化的數據提供給外部設備作為讀取數據。

根據示例實施例，一種非易失性存儲器設備包括存儲單元陣列、頁緩沖器、片上ECC引擎和片上隨機化電路。所述存儲單元陣列包括形成多個頁的多個存儲單元。所述頁緩沖器電路存儲所述多個頁中的一頁的數據。所述片上ECC引擎對從外部設備接收的第一組數據執行ECC編碼，使得所述片上ECC引擎將經編碼的數據提供給所述頁緩沖器電路，或對存儲在所述頁緩沖器電路中的第二組數據執行ECC解碼，使得所述片上ECC引擎將經解碼的數據提供給所述頁緩沖器電路。所述片上隨機化電路使用與所述多個頁中的目標頁相對應的種子值來執行對經編碼數據的隨機化，使得所述片上隨機化電路將經隨機化的數據提供給所述頁緩沖器電路，或使用與所述多個頁中的源頁相對應的種子值來執行對經解碼數據的去隨機化，使得所述片上隨機化電路將去隨機化的數據提供給外部設備作為讀取數據。

根據示例實施例，一種存儲器設備包括：存儲單元陣列，具有多個存儲單元；頁緩沖器電路，被配置為存儲從所述多個存儲單元輸出的第一組數據和第二組數據；糾錯碼(ECC)電路，被配置為對所述第一組數據執行ECC解碼，使得ECC電路將所述第二組數據提供給所述頁緩沖器電路作為經解碼數據；以及隨機化電路，被配置為對從所述頁緩沖器電路輸出的所述第二組數據執行去隨機化，使得所述隨機化電路將去隨機化的數據提供給外部設備作為讀取數據。