[發明專利]半導體晶圓的清洗方法

有效

• 申請號: 201710154812.5
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN108630518B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 水曉鳳
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供一種半導體晶圓的清洗方法，在依次采用堿性清洗液和酸性清洗液對所述半導體晶圓進行清洗之前，先采用酸性預清洗液對所述半導體晶圓進行預清洗，由此可以預先輕微地去除金屬污染，防止其后續與堿性清洗液作用結合產生微小聚集性凹陷，改善晶圓表面的平整度，提高產品良率。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種半導體晶圓的清洗方法。

背景技術

在現今的半導體集成電路工藝中，晶圓清洗是頻繁且重要的步驟之一，其目的主要是用來清除晶片表面的殘留物(Residue)和污染物(Contamination)，如微粒(Particle)、有機物(Organic)和無機物金屬離子(Metal Ions)等，然而，目前的晶圓清洗方法會在晶圓表面產生微小的聚集性凹坑(cluster pits)，如圖1所示，影響了整個半導體集成電路工藝的良率(Yield)、元件品質及可靠性。

因此，需要一種新的半導體晶圓的清洗方法，能夠避免清洗后產生的晶圓表面凹坑缺陷，提高產品良率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體晶圓的清洗方法，能夠避免清洗后產生的晶圓表面凹坑缺陷，提高產品良率。

為解決上述問題，本發明提出一種半導體晶圓的清洗方法，包括以下步驟：

采用酸性預清洗液對所述半導體晶圓進行預清洗；

采用堿性清洗液對所述半導體晶圓進行清洗；

采用酸性清洗液對所述半導體晶圓進行清洗。

進一步的，所述酸性預清洗液的組成成分包括第一酸、第一氧化劑和水。

進一步的，所述第一酸為鹽酸、氫氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一種，所述第一氧化劑為雙氧水或臭氧。

進一步的，所述第一酸為鹽酸，所述第一氧化劑為雙氧水，且鹽酸、雙氧水和水的摩爾濃度配比為1:1:6～1:2:8。

進一步的，所述酸性清洗液的組成成分包括第二酸、第二氧化劑和水。

進一步的，所述第二酸為鹽酸、氫氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一種，所述第二氧化劑為雙氧水或臭氧。

進一步的，所述第二酸為鹽酸，所述第二氧化劑為雙氧水，且鹽酸、雙氧水和水的摩爾濃度配比為1:1:6～1:2:8。

進一步的，所述酸性清洗液與所述酸性預清洗液含有的組成成分相同，但各個組成成分的摩爾濃度配比不同。

進一步的，所述酸性清洗液的酸性強于所述酸性預清洗液。

進一步的，所述堿性清洗液包括氫氧化物、第三氧化劑和水。

進一步的，所述氫氧化物為氫氧化銨或氫氧化鉀，所述第三氧化劑為雙氧水或臭氧。

進一步的，所述氫氧化物為氫氧化銨，所述氧化劑為雙氧水，且氫氧化銨、雙氧水和水的摩爾濃度配比為1:1:5～1:2:7。

進一步的，在所述預清洗之后，且在所述采用堿性清洗液對半導體晶圓進行清洗之前，采用去離子水對所述半導體晶圓進行沖洗。

進一步的，在所述采用堿性清洗液對半導體晶圓進行清洗之后，且在所述采用酸性清洗液對所述半導體晶圓進行清洗之前，采用去離子水對所述半導體晶圓進行沖洗。

進一步的，在所述采用酸性清洗液對所述半導體晶圓進行清洗之后，采用去離子水對所述半導體晶圓進行沖洗。